[发明专利]一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路有效
| 申请号： | 201910932267.7 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112583400B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 邹臣 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 启动 电流 产生 到关断 模式 切换 电路 | ||
1.一种启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，包括基准电流输出端，所述基准电流输出端连接第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压端，所述第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极互连后连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的源极连接所述电源电压端，所述第二PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接启动电压节点，所述启动电压节点通过串联的第一启动电阻和第二启动电阻连接接地端，所述第一启动电阻和第二启动电阻之间的中间节点连接第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接使能端，所述第六NMOS管的源极连接接地端。
2.根据权利要求1所述的启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，当所述使能端为高电平时，所述启动电压节点的电压值除以所述第一启动电阻的电阻值即得第一启动基准电流；当所述使能端为低电平时，所述启动电压节点的电压值除以所述第一启动电阻与第二启动电阻的电阻值之和即得第二启动基准电流；所述第一启动基准电流大于所述第二启动基准电流。
3.根据权利要求1所述的启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，所述启动电压节点连接第五NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的源极连接接地端，所述第五NMOS管的漏极分别连接所述第四NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极和第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接所述第三NMOS管的源极，所述第三NMOS管的漏极连接所述电源电压端。
4.根据权利要求3所述的启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，所述第三NMOS管为耗尽型NMOS管。
5.根据权利要求1所述的启动电流产生到关断模式下小电流切换电路，其特征在于，所述第四NMOS管为LDMOS管。
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