[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成第一介电层；

刻蚀所述第一介电层，在所述第一介电层中形成与所述衬底的表面具有预定夹角的倾斜的沟槽，所述沟槽为开口处的宽度至底部宽度一致均匀的规则形状，所述沟槽与所述衬底的表面之间的所述预定夹角介于10°~ 90°；

在所述第一介电层和所述沟槽的开口处通过快速沉积形成第二介电层以在所述沟槽的内部形成空气隙。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一介电层之前还包括在所述衬底上形成刻蚀停止层，刻蚀所述第一介电层时至所述刻蚀停止层停止。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述第一介电层之前，还包括在所述第一介电层中形成金属互联层的步骤。

4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过以下方式刻蚀所述第一介电层：

采用倾斜等离子体流刻蚀第一介电层，所述倾斜等离子体流与衬底表面之间具有第二预定夹角；或者

倾斜所述衬底，采用垂直等离子体流刻蚀所述第一介电层，所述衬底与水平面之间具有第二预定夹角。

5. 根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述倾斜等离子体流可以通过以下方式得到：

采用倾斜等离子体流发生装置，产生与衬底表面具有所述第二预定夹角的所述倾斜等离子体流；或者

采用垂直等离子体流发生装置，并在等离子发生装置中施加水平方向的外加电场，使得所述等离子发生装置产生的等离子流发生偏转，偏转后的倾斜等离子体流与所述衬底表面具有所述第二预定夹角。

6. 根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述等离子发生装置中施加的所述外加电场的电压介于0.3 V~1000 V。

7.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述第二预定夹角介于0~90°。

8. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽在竖直方向延伸的深度介于10 Å ~100 μm，在水平方向延伸的长度介于10 Å~ 100 μm，所述沟槽的宽度介于10 Å ~1000 Å。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一介电层；

形成在所述第一介电层中与所述衬底的表面具有预定夹角的倾斜的沟槽，所述沟槽为开口处的宽度至底部宽度一致均匀的规则形状，所述沟槽与所述衬底的水平表面之间的所述预定夹角介于10°~ 90°；

形成在所述第一介电层上方及所述沟槽的开口处的第二介电层；

其中，所述第二介电层和所述沟槽形成空气隙。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层中还形成有金属互联层。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底与所述第一介电层之间还具有刻蚀停止层。

12. 根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽在竖直方向延伸的深度介于10 Å ~100 μm，在水平方向延伸的长度介于10 Å~ 100 μm，所述沟槽的宽度介于10 Å~1000 Å。