[发明专利]一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺

权利要求书

1.一种光电转换率高的薄膜光伏电池，设置在显示模组的显示面一侧，其中显示模组包括中间显示区和环绕显示区设置的非显示区，其特征在于，所述薄膜光伏电池包括透明基板和设于所述透明基板上且朝向显示模组布置的光伏单元，设置在显示区的光伏单元包括设于所述透明基板上的透明前电极、设于所述透明前电极上的光吸收层以及设于所述光吸收层上的透明背电极；设置在非显示区的光伏单元包括设于所述透明基板上的透明前电极、设于所述透明前电极上的光吸收层以及设于所述光吸收层上的金属背电极。

2.如权利要求1所述的光电转换率高的薄膜光伏电池，其特征在于，所述金属背电极包括透明背电极和设置在透明背电极上的金属层。

3.如权利要求2所述的光电转换率高的薄膜光伏电池，其特征在于，所述薄膜光伏电池还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层至少形成在透明背电极的边缘与金属层的边缘之间。

4.如权利要求1-3任一项所述的光电转换率高的薄膜光伏电池，其特征在于，所述透明背电极的厚度在50nm-1000nm之间。

5.如权利要求1所述的光电转换率高的薄膜光伏电池，其特征在于，所述非显示区的光伏单元还设有金属辅助电极，所述金属辅助电极与透明前电极接触连接，且所述金属辅助电极与金属背电极通过透明绝缘层隔开设置。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的光电转换率高的薄膜光伏电池的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一透明基板，将透明基板朝向显示模组的一侧进行显示区和非显示区的透明前电极成膜；

步骤S2：在所述透明前电极上进行显示区和非显示区的光吸收层化学气相沉积成膜；

步骤S3：在所述光吸收层上进行显示区和非显示区的透明背电极成膜；

步骤S4：清洗后依次对透明背电极、光吸收层、透明前电极进行成像刻蚀；

步骤S5：对透明绝缘层进行涂胶，曝光显影出图形；

步骤S6：在所述透明背电极上进行非显示区的金属层成膜及刻蚀形成金属背电极。

7.如权利要求6所述的光电转换率高的薄膜光伏电池的制备工艺，其特征在于，其中步骤S5中所述透明绝缘层至少部分形成在非显示区的所述透明背电极的上表面使金属层的边缘部分通过透明绝缘层与透明背电极的边缘部分隔开。

8.如权利要求6所述的光电转换率高的薄膜光伏电池的制备工艺，其特征在于，还包括在步骤S1之前在透明基板上进行金属辅助电极成膜刻蚀的步骤或者在步骤S1与步骤S2之间在透明前电极与透明基板上进行金属辅助电极成膜刻蚀的步骤。

9.如权利要求6所述的光电转换率高的薄膜光伏电池的制备工艺，其特征在于，还包括步骤S7：在非显示区的金属背电极上进行保护层的成膜及刻蚀。