[发明专利]微影模拟方法

说明书

在以微影模拟最佳化微影模型的方法中，根据给定布局形成遮罩，使用遮罩列印晶圆，量测在列印晶圆上形成的图案，使用晶圆边缘偏压表及给定遮罩布局来模拟晶圆图案，获得模拟晶圆图案与量测图案之间的差异，并且根据差异调整晶圆边缘偏压表。

技术领域

本揭露涉及微影模拟的方法。

背景技术

随着集成电路的特征尺寸日益变小，产生用于制造集成电路的微影制程中的精确遮罩更具挑战性。当特征尺寸减小到微影中使用的照明辐射的衍射限值以下时，由例如更高阶的光学效应导致的畸变会在晶圆上产生的图案中产生不期望的特征。因此，在最终确定布局之前，一般使用微影模型来模拟由给定布局产生的图案。随后将模拟图案与布局产生的实际图案进行比较，以改良微影模型。

发明内容

本揭露的一实施方式提供一种以微影模拟最佳化微影模型的方法，方法包括以下步骤：根据给定布局形成遮罩；使用遮罩列印晶圆；量测形成在列印的晶圆上的图案；使用晶圆边缘偏压表及给定布局来模拟晶圆图案；获得模拟的晶圆图案与量测的图案之间的差异；及根据差异调整晶圆边缘偏压表。

附图说明

本揭露的一实施方式在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制，且仅用于说明的目的。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。

图1图示依据本揭露的一些实施例的最佳化一微影模拟系统的一方法的流程图；

图2示意性图示根据本揭露的一实施例向测试图案施加边缘偏压；

图3图示根据本揭露的一些实施例的相对于给定边缘与另一边缘之间的空间的晶圆偏压量；

图4图示根据本揭露的一些实施例确定晶圆边缘偏压量的各种参数；

图5图示根据本揭露的一些实施例的当K＝3时的K个最近相邻者(k-nearestneighbor；(KNN)；

图6图示依据本揭露的一些实施例的最佳化光邻近校正(optical proximitycorrection；OPC)的一方法及光遮罩的制造的流程图；

图7图示根据本揭露的一些实施例的用于制造集成电路(integrated circuit；IC)的系统。

【符号说明】

110 步骤

112 步骤

114 步骤

116 步骤

118 步骤

120 步骤

122 步骤

124 步骤

130 步骤

210 步骤

212 步骤

250 步骤

200a 第一测试图案

200b 第一测试图案

201a 边缘

201b 边缘

202a 边缘

202b 边缘

203a 边缘

203b 边缘

204a 边缘

204b 边缘