[发明专利]半导体装置

说明书

目的在于提供能够提高分流电阻所产生的热的散热性的技术。半导体装置具备：容器体(1)，其具有开口的空间；半导体芯片(2)、分流电阻(4)及电路图案(5)，它们配置于容器体(1)内的空间内；分隔部件(11)；第1盖部(16a)；以及第2盖部(16b)。分隔部件(11)将容器体(1)的空间分离成第1空间(1e)和第2空间(1f)。第1盖部(16a)覆盖开口中的与第1空间(1e)相对应的部分，第2盖部(16b)覆盖开口中的与第2空间(1f)相对应的部分。第2盖部(16b)形成将第2空间(1f)与容器体(1)外部连通的至少1个孔(18)。

技术领域

本发明涉及具备分流电阻的半导体装置。

背景技术

近年来，内置了能够高精度地对电路电流进行检测的分流电阻的半导体装置被应用于各种装置。分流电阻的温度通过通电而上升，因此能够使用的分流电阻被对分流电阻等进行封装的封装材料的耐热温度制约。因此，例如，就在几百安培数量级下使用的半导体装置而言，通过增多分流电阻的个数而使散热效果提高，但作为其结果，产生装置尺寸大型化这一另外的问题。就专利文献1的技术而言，为了解决能够使用的分流电阻被封装材料的耐热温度制约这一问题，设置有用于将分流电阻与其它结构要素分离的壁等。

专利文献1：日本特开平4-162489号公报

就专利文献1的技术而言，分流电阻未由封装材料封装，而是设置于壳体的空间内。但是，由于该空间完全地密闭，因此存在分流电阻所产生的热的散热性较低这一问题。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述这样的问题而提出的，其目的在于提供能够提高分流电阻所产生的热的散热性的技术。

本发明涉及的半导体装置具备：容器体，其具有开口的空间；半导体芯片，其配置于所述容器体内的所述空间内；分流电阻，其配置于所述空间内，与所述半导体芯片分离；电路图案，其配置于所述空间内，将所述半导体芯片与所述分流电阻连接；分隔部件，其将所述容器体的所述空间分离成所述半导体芯片侧的第1空间和所述分流电阻侧的第2空间；第1封装材料，其配置于所述第1空间内，封装所述半导体芯片；以及第1盖部和第2盖部，该第1盖部覆盖所述开口中的与所述第1空间相对应的部分，该第2盖部覆盖所述开口中的与所述第2空间相对应的部分，所述第2盖部形成将所述第2空间与所述容器体外部连通的至少1个孔。

发明的效果

根据本发明，第2盖部形成将第2空间与容器体外部连通的至少1个孔。由此，能够提高分流电阻所产生的热的散热性。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的一部分的结构的电路图。

图4是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图5是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图6是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图7是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图8是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图9是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图10是表示实施方式5涉及的半导体装置的结构的剖面图。

标号的说明

1容器体，1e第1空间，1f第2空间，2半导体芯片，4分流电阻，5电路图案，11分隔部件，12第1封装材料，16a第1盖部，16b第2盖部，18、18a、18b、18c孔，20防锈膜，22第2封装材料。