[发明专利]掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种掩模板组合，用于制作接触插塞，其特征在于，所述掩模板组合包括：

第一掩模板，具有多条平行的第一遮光条纹，相邻的两条第一遮光条纹之间为第一透光区；

第二掩模板，具有多条平行且与每条第一条纹相交的第二遮光条纹，相邻的两条第二遮光条纹之间为第二透光区；

第三掩模板，具有遮光块和与遮光块互补的第三透光区，所述遮光块覆盖所述第一掩模板的边界处的至少一条第一遮光条纹和该条第一遮光条纹最近邻的部分第一透光区，以及，覆盖所述第二掩模板的边界处的至少两条第二遮光条纹以及所述两条第二遮光条纹之间的部分第二透光区，第三透光区、第一透光区和第二透光区的重叠区域为形成接触插塞的区域。

2.如权利要求1所述的掩模板组合，其特征在于，所述形成接触插塞的区域的形状包括正方形、圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形和心形中的至少一种。

3.如权利要求1所述的掩模板组合，其特征在于，所述遮光块覆盖的第二遮光条纹的数量为所述遮光块覆盖的第一遮光条纹的数量的2～5倍。

4.如权利要求1所述的掩模板组合，其特征在于，所述第一掩模板的边界处的至少一条第一遮光条纹具有第一宽度，其余的第一遮光条纹具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

5.如权利要求4所述的掩模板组合，其特征在于，所述第一宽度大于1.5倍的所述第二宽度。

6.如权利要求1所述的掩模板组合，其特征在于，所述第二掩模板的边界处的至少一条第二遮光条纹具有第三宽度，其余的第二遮光条纹具有第四宽度，所述第三宽度大于所述第四宽度。

7.如权利要求6所述的掩模板组合，其特征在于，所述第三宽度大于1.5倍的所述第四宽度。

8.如权利要求1所述的掩模板组合，其特征在于，所述遮光块面向所述核心区的边缘是不对称的。

9.一种接触插塞制作方法，其特征在于，使用权利要求1～8中任一项所述的掩模板组合来制作，所述接触插塞制作方法包括：

提供具有多个有源区的半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成层间介质层、第一掩模层；

采用光刻结合刻蚀的工艺，将所述掩模板组合中的第一掩模板上的图案转移到所述第一掩模层上，以在所述第一掩模层中形成相应的多条第一线条，其中，每条第一线条对应第一掩模板上相应的第一遮光条纹，相邻第一线条之间的沟槽对应第一掩模板上相应的第一透光区并暴露出相应的层间介质层；

在所述层间介质层和所述第一掩模层上覆盖第二掩模层，并采用光刻结合刻蚀的工艺，将所述掩模板组合中的第二掩模板上的图案转移到所述第二掩模层上，以形成相应的多条第二线条，其中，每条第二线条对应第二掩模板上相应的第二遮光条纹，相邻第二线条之间的沟槽对应第二掩模板上相应的第二透光区并暴露出相应的所述第一线条以及所述第一透光区中的层间介质层；

在所述第一掩模层、第二掩模层和层间介质层上覆盖第三掩模层，并采用光刻工艺将所述掩模板组合中的第三掩模板上的图案转移到所述第三掩模层上，剩余的第三掩模层对应第三掩模板的遮光块，剩余的第三掩模层和所述第一掩模层、第二掩模层共同暴露出的层间介质层即为待形成接触插塞的区域；

以所述第一掩模层、第二掩模层和第三掩模层为掩模，刻蚀暴露出的层间介质层，以形成暴露出相应的有源区的接触孔；

在所述接触孔中形成接触插塞，各个所述接触插塞的底部与相应的有源区接触。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：采用权利要求8所述的制作接触插塞的方法，在一具有核心区的半导体衬底上形成接触插塞，各个所述接触插塞的底部与核心区中相应的核心元件的有源区接触。