[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的连续减小，这允许将更多组件集成到给定区域。随着部件尺寸在先进的工艺技术中继续缩小，可以使用新的工艺步骤来实现所形成的半导体器件的性能目标。新的工艺步骤也可能为半导体制造带来新的挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一介电层，位于衬底上方，所述第一介电层包括从所述第一介电层的远离所述衬底的第一侧延伸到所述第一介电层的与所述第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于所述第一介电层上方；导线，位于所述第一介电层中，所述导线包括第一导电材料，所述导线的上表面比所述第一介电层的上表面更靠近所述衬底；金属帽，位于所述第一介电层中，所述金属帽位于所述导线上方并物理连接至所述导线，所述金属帽包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于所述第二介电层中并且物理连接到所述金属帽，所述通孔包括所述第二导电材料。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层是单层；导电部件，位于所述第一介电层中，所述导电部件包括第一导电材料，所述导电部件的远离所述衬底的第一表面比所述第一介电层的远离所述衬底的第一表面更靠近衬底；第二介电层，位于所述第一介电层和所述导电部件上方；以及导电插塞，具有上部和下部，所述上部和所述下部包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料，所述导电插塞的上部设置在所述第二介电层中，所述导电插塞的下部延伸到所述第一介电层中并物理连接到所述导电部件。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一介电层；使用第一材料在所述第一介电层中形成导线，其中，在形成所述导线之后，在所述第一介电层中存在接近所述第一介电层的远离所述衬底的上表面的凹槽，其中，所述凹槽的底部暴露所述导线的上表面；使用与所述第一材料不同的第二材料填充所述第一介电层中的凹槽以形成金属帽，其中，所述金属帽比所述导线宽；在所述第一介电层上方形成第二介电层；在所述第二介电层中形成开口，以暴露所述金属帽；以及使用所述第二材料填充所述开口以形成通孔。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图7、图8A、图8B和图9示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图10至图12示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图13至图19、图20A、图20B和图21示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

图22示出了在一些实施例中用于形成半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式