[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一介电层，位于衬底上方，所述第一介电层包括从所述第一介电层的远离所述衬底的第一侧延伸到所述第一介电层的与所述第一侧相对的第二侧的第一介电材料；

第二介电层，位于所述第一介电层上方；

导线，位于所述第一介电层中，所述导线包括第一导电材料，所述导线的上表面比所述第一介电层的上表面更靠近所述衬底；

金属帽，位于所述第一介电层中，所述金属帽位于所述导线上方并物理连接至所述导线，所述金属帽包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料，沿着平行于所述衬底的主上表面的第一方向在所述金属帽的相对侧壁之间测量的所述金属帽的第一宽度大于沿着所述第一方向在所述导线的相对侧壁之间测量的所述导线的第二宽度，并且其中，所述金属帽的延伸超出所述导线的部分的底面物理接触所述第一介电层；以及

通孔，位于所述第二介电层中并且物理连接到所述金属帽，所述通孔包括所述第二导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属帽的上表面与所述第一介电层的上表面齐平。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔具有内部部分和围绕所述内部部分的外部部分，所述外部部分物理接触所述第二介电层，其中，所述通孔的外部部分和所述通孔的内部部分包括所述第二导电材料，并且所述外部部分的第一材料密度高于所述内部部分的第二材料密度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述金属帽具有垂直于所述导线的上表面的侧壁。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述金属帽具有相对于所述导线的上表面倾斜的侧壁。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一导电材料是钴，并且所述第二导电材料是钨。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，沿着所述第一方向在所述通孔的相对侧壁之间测量的所述通孔的第三宽度大于所述金属帽的第一宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间的蚀刻停止层，其中，所述通孔延伸穿过所述蚀刻停止层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔物理地接触所述第二介电层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括，位于所述导线和所述第一介电层之间的阻挡层。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层是单层；

导电部件，位于所述第一介电层中，所述导电部件包括第一导电材料，所述导电部件的远离所述衬底的第一表面比所述第一介电层的远离所述衬底的第一表面更靠近衬底；

第二介电层，位于所述第一介电层和所述导电部件上方；以及

导电插塞，具有上部和下部，所述上部和所述下部包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料，所述导电插塞的上部设置在所述第二介电层中，所述导电插塞的下部延伸到所述第一介电层中并物理连接到所述导电部件，

其中，沿着平行于所述衬底的主上表面的第一方向在所述导电插塞的下部的相对侧壁之间测量的所述导电插塞的下部的第一宽度大于沿着所述第一方向在所述导电部件的相对侧壁之间测量的所述导电部件的第二宽度，并且其中，所述导电插塞的下部的延伸超出所述导电部件的部分的底面物理接触所述第一介电层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述导电插塞的下部的宽度大于所述导电部件的宽度。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述导电插塞与所述第二介电层物理接触。