[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；等离子体发生部，在腔室的内部发生等离子体；气体供给部，向腔室的内部供给气体；放置部，位于发生等离子体的区域的下方，放置处理物；减压部，对腔室的内部进行减压；及电源，介由母线电连接于设置在放置部的电极。母线由铜与金的合金所形成，在母线的表面侧，比铜更多地含有金，在母线的厚度方向的中心侧，比金更多地含有铜。或者，母线具有：由铜形成的第1层；及覆盖第1层且由铜与金的合金所形成的第2层，在第2层的表面侧，比铜更多地含有金，在第2层的第1层的侧，比金更多地含有铜。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在用于干刻、化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))、物理汽相沉积(PVD(Physical Vapor Deposition))等的等离子体处理装置中，设置有放置处理物的放置部。另外，有时在放置部设置用于向处理物引入离子的电极。而且，介由母线(配线构件)电连接电极与高频电源(例如专利文献1)。

在此，当母线上流动电流时，因焦耳热而母线的温度成为高温。一般来讲，由于母线由铜形成，因此如果母线的温度成为高温则表面发生氧化而形成氧化铜。由于高频电流因表皮效应而在母线的表面附近流动，因此如果在母线的表面上形成有电阻比铜更高的氧化铜，则发热量增大而母线的温度进一步提高。因此，由于缘于发热的能量损失进一步增大，因此等离子体处理性能有可能降低。另外，由于氧化铜的形成伴随等离子体处理装置的使用逐渐推进，因此等离子体处理性能也会趋于不稳定。

此时，如果加大母线而增加表面积，则能够抑制母线的温度上升。但是，如果加大母线，则有可能带来装置的大型化或者难以配置母线。

另外，还可以用难以发生氧化的金、银等对母线的表面进行镀层。但是，由于用于等离子体处理装置的母线是大型零件，因此如果用价格较高的金、银等对母线的表面进行镀层，则会提高制造成本。并且，虽然银是难以发生氧化的材料，但是氧化还是逐渐推进，因此有可能产生等离子体处理性能的初始变动。

另外，也提出了用惰性气体清洗设置有母线的环境或者做成真空而从设置有母线的环境中除氧的技术。但是如此这样，则会带来等离子体处理装置的结构的复杂化、大型化，制造成本也会增加。

于是，希望开发出通过简单且廉价的结构能够抑制母线的氧化的等离子体处理装置。

专利文献

专利文献1：日本国特开2015-207562号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种等离子体处理装置，其通过简单且廉价的结构能够抑制母线的氧化。

实施方式所涉及的等离子体处理装置具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；等离子体发生部，在所述腔室的内部发生等离子体；气体供给部，向所述腔室的内部供给气体；放置部，位于发生所述等离子体的区域的下方，放置处理物；减压部，对所述腔室的内部进行减压；及电源，介由母线电连接于设置在所述放置部的电极。所述母线由铜与金的合金所形成，所述铜和所述金的合金在所述母线的表面露出，在所述母线的表面侧，比所述铜更多地含有所述金，在所述母线的厚度方向的中心侧，比所述金更多地含有所述铜。或者，所述母线具有：由所述铜形成的第1层；及覆盖所述第1层且由所述铜与所述金的合金所形成的第2层，所述铜和所述金的合金在所述第2层的表面露出，在所述第2层的表面侧，比所述铜更多地含有所述金，在所述第2层的所述第1层的侧，比所述金更多地含有所述铜。

根据本发明的实施方式，提供一种等离子体处理装置，其通过简单且廉价的结构能够抑制母线的氧化。

附图说明

图1是用于例示本实施方式所涉及的等离子体处理装置的模式化剖视图。

图2是用于例示放置模块的模式化立体图。