[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

腔室，可维持比大气压更被减压的环境；

等离子体发生部，在所述腔室的内部发生等离子体；

气体供给部，向所述腔室的内部供给气体；

放置部，位于发生所述等离子体的区域的下方，放置处理物；

减压部，对所述腔室的内部进行减压；

及电源，介由母线电连接于设置在所述放置部的电极，其特征为，

所述母线由铜与金的合金所形成，所述铜和所述金的合金在所述母线的表面露出，在所述母线的表面侧，比所述铜更多地含有所述金，在所述母线的厚度方向的中心侧，比所述金更多地含有所述铜，

或者，所述母线具有：由所述铜形成的第1层；及覆盖所述第1层且由所述铜与所述金的合金所形成的第2层，所述铜和所述金的合金在所述第2层的表面露出，在所述第2层的表面侧，比所述铜更多地含有所述金，在所述第2层的所述第1层的侧，比所述金更多地含有所述铜。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，在所述母线的表面或者所述第2层的表面上，对所述铜的所述金的比例为51重量％以上且小于100％。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征为，所述放置部连接于大气空间，所述母线接触大气空间。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征为，还具备朝着所述母线进行送风的风扇。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征为，

还具备在所述腔室的内部空间中支撑所述放置部的支撑部，

所述支撑部具有：安装部，位于所述放置部的下方，设置所述放置部；

及梁，在所述腔室的内部从所述腔室的侧面朝着所述腔室的中心轴延伸，一端连接于所述安装部的侧面，在内部具有连接于所述腔室的外部空间的成为主空间的空间，

在所述梁的侧部中，当将从成为所述主空间的空间的上部到所述梁的上面的、所述放置部侧的侧部的厚度作为t1，将从成为所述主空间的空间的下部到所述梁的下面的、所述梁的所述放置部侧的相反侧的侧部的厚度作为t2，将所述腔室的外侧壁与所述腔室的中心轴之间的距离作为L，将所述放置部的重量作为W时，满足以下公式，

260mm≤L≤350mm

56kgf≤W≤70kgf

14mm≤t1≤18mm

8mm≤t2≤10mm。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征为，当将所述梁的与所述放置部侧的侧部发生交叉的侧部的厚度作为t3时，满足以下的式t1＜t3。

7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征为，

所述支撑部还具备设置于所述腔室的外侧壁的凸缘，

所述梁的另一端介由穿通所述腔室的侧面的第1孔连接于所述凸缘。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征为，介由所述第1孔，能够将设置有所述放置部的所述安装部及所述梁搬入到所述腔室的内部及搬出到所述腔室的外部。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，

所述减压部具备：泵，连接于设置在所述腔室的底板上的第2孔；

阀体，设置在所述腔室的内部，与所述第2孔对峙；

及驱动部，改变在所述腔室的中心轴方向上的所述阀体的位置。