[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201910922040.4 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110970470A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 孙东铉;文晟熏;金成准;戎野浩平;金德会;吴相训 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括:基底基板,包括在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域;在基底基板上的源极/漏极图案,源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和在显示区域中的薄膜晶体管的电极;在基底基板上的平坦化绝缘层,平坦化绝缘层接触连接电极的侧表面和薄膜晶体管的电极的侧表面并且暴露连接电极的顶表面;接触连接电极的连接构件;以及包括驱动电路的驱动构件,驱动构件连接到连接构件。
技术领域
示例性实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
近来,已经制造出重量轻且尺寸小的显示装置。由于性能和有竞争力的价格,阴极射线管(CRT)显示装置已经被使用。然而,CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此,期望尺寸小、重量轻并且功耗低的诸如等离子体显示装置、液晶显示装置或有机发光显示装置的显示装置。
发明内容
实施例涉及一种显示装置,包括:基底基板,包括在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域;在基底基板上的源极/漏极图案,源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和在显示区域中的薄膜晶体管的电极;在基底基板上的平坦化绝缘层,平坦化绝缘层接触连接电极的侧表面和薄膜晶体管的电极的侧表面并且暴露连接电极的顶表面;接触连接电极的连接构件;以及包括驱动电路的驱动构件,驱动构件连接到连接构件。
连接电极可以包括第一层图案和在第一层图案上的第二层图案。第一层图案的构成材料和第二层图案的构成材料可以彼此不同。第二层的顶表面可以接触连接构件。
显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层上的通孔绝缘层和在通孔绝缘层上的第一电极,第一电极电连接到薄膜晶体管。第一电极可以包括银(Ag)。
连接电极的顶表面具有比连接电极的底表面小的平面区域,使得连接电极具有恒定的渐缩的横截面。
显示装置还可以包括:在平坦化绝缘层上的通孔绝缘层;在通孔绝缘层上的发光结构,发光结构电连接到薄膜晶体管;在发光结构上的薄膜封装层;以及直接在薄膜封装层上的触摸结构。
显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层和基底基板之间以及在平坦化绝缘层和源极/漏极图案的侧表面之间的停止层图案。停止层图案可以包括与平坦化绝缘层不同的材料。
停止层图案可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
停止层图案可以包括有机绝缘材料。
源极/漏极图案可以被容纳在平坦化绝缘层的顶表面上的凹部中。连接电极的侧表面和底表面可以接触平坦化绝缘层。
实施例还涉及一种制造显示装置的方法,包括:在基底基板上形成源极/漏极图案,基底基板包括将在其中显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域,源极/漏极图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和设置在显示区域中的薄膜晶体管的电极;在其上形成源极/漏极图案的基底基板上形成初始绝缘层;形成平坦化绝缘层,平坦化绝缘层通过去除绝缘层的一部分来暴露连接电极的顶表面;以及使用在连接电极和包括驱动电路的驱动构件之间的连接构件,连接连接电极和驱动构件。
形成源极/漏极图案可以包括:顺序地形成第一层和第二层,第二层由与第一层不同的材料制成;以及通过蚀刻第二层和第一层来形成源极/漏极图案。
该方法可以进一步包括在平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层并在通孔绝缘层上形成包括银(Ag)的第一电极。
形成平坦化绝缘层可以包括:通过化学机械平坦化(CMP)工艺去除初始绝缘层的设置在连接电极上的一部分,以暴露连接电极的顶表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的