[发明专利]一种用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法

权利要求书

1.一种用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

(1)单晶硅片载体预处理：在一定体积的去离子水中加入氢氧化钠与乙醇，水浴加热后，将单晶硅片载体浸没于以上溶液中腐蚀处理，将处理过后的单晶硅片载体放置烘箱中烘干；

(2)制备铝溶胶：在一定体积的去离子水中加入拟薄水铝石、浓硝酸，一定温度下水浴磁力搅拌，得到铝溶胶，静置老化待用。

(3)制浆：取静置老化后的铝溶胶，加入固含量在15％-30％的干基NaY沸石分子筛，加入球磨球球磨，球磨后得到混合均匀的浆料。

(4)涂层制备：将步骤(3)所得浆料喷涂在步骤(1)预处理好的单晶硅片表面，使单晶硅片载体表面负载浆料，将表面负载浆料的单晶硅片载体放在避光环境中，阴干，保证硅片涂层表面不开裂。

(5)焙烧：将阴干的单晶硅片载体放置于马弗炉中进行焙烧，得到硅基分子筛膜材料。

2.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：单晶硅片载体的直径为50mm，形状为圆形。

3.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(1)中，去离子的体积为200ml，加入的氢氧化钠的质量为2.5-3.5g，乙醇体积为15-25ml。

4.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(1)中，水浴加热的温度为75-85℃，腐蚀处理的时间为60-65min；烘箱中的烘干温度为55-65℃，烘干时间为1-1.5h。

5.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(2)中，去离子的体积为200ml，加入的拟薄水铝石的质量为3.8-4.2g、浓硝酸体积为3.8-4.2mL。

6.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(2)中，水浴磁力搅拌的温度为80-90℃，搅拌时间为4-5小时，铝溶胶静置老化的时间为24-26h。

7.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(3)中铝溶胶的体积为200ml，NaY沸石分子筛的质量为7.5-8.5g，加入30颗球磨球球磨6-7h，球磨后混合均匀的浆料粘度为210-250m PaS。

8.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(4)中避光环境中相对湿度大于40％，阴干时间为10-12h。

9.一种如权利要求1所述的用于吸附六氟化铀的硅基分子筛膜材料制备方法，其特征在于：步骤(5)中焙烧温度为500-550℃，升温速率为1℃/min，焙烧时间为4-5h。