[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。

技术领域

本公开实施例关于半导体装置，更特别关于外延的源极/漏极区与其形成方法。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数字相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，再采用微影图案化多种材料层以形成电路构件与元件于半导体基板上。

半导体产业持续缩小最小结构的尺寸，以持续改良多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，进而将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，产生需解决的额外问题。

发明内容

本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法包括：形成栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于与栅极堆叠相邻的鳍状物中；在第一成长制程时配送多个硅前驱物以形成源极/漏极区的第一层于凹陷中，且在第一成长制程时配送的硅前驱物具有第一组流速比例；以及在第二成长制程时配送硅前驱物以形成源极/漏极区的第二层于外延的源极/漏极区的第一层上，且在第二成长制程时配送的硅前驱物具有第二组流速比例，而第二组流速比例与第一组流速比例不同，其中第一成长制程的硅前驱物中，键结的气相硅原子与键结的气相氢原子总量对键结的气相氯原子量具有一第一比例；以及其中第二成长制程的硅前驱物中，键结的气相硅原子与键结的气相氢原子总量对键结的气相氯原子量具有第二比例，且第二比例大于第一比例。

本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。

本公开一实施例提供的半导体装置包括：自基板延伸的第一鳍状物与第二鳍状物；第一鳍状物与第二鳍状物中的源极/漏极区，源极/漏极区的侧部与第一鳍状物与第二鳍状物隔有平均的第一距离，且源极/漏极区包括：第一层，具有第一掺质浓度；以及第二层，位于第一层上，第二层具有第二掺质浓度，且第二掺质浓度大于第一掺质浓度，第二层具有凸起的上表面，且凸起的上表面与第一鳍状物与第二鳍状物的顶部隔有平均的第二距离；其中第二距离对第一距离的比例为约0.5至约6。

附图说明

图1一些实施例中，鳍状场效晶体管的三维图。

图2、3、4、5、6、7、8A、8B、9A、9B、10A、10B、11、12、13、14、15A、15B、16A、16B、17A、17B、18A、18B、18C、19A、19B、20A、与20B一些实施例中，形成鳍状场效晶体管的中间阶段之剖视图。

【符号说明】

A-A、B-B、C-C 参考剖面

D₁ 深度

D₂、D₃ 距离