[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910921640.9 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957226A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 林资敬;林建智;朱峯庆;吴卓斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于磊;陈曦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一栅极堆叠于一鳍状物上；
蚀刻该鳍状物以形成一凹陷于与该栅极堆叠相邻的该鳍状物中；
在一第一成长制程时配送多个硅前驱物以形成一源极/漏极区的一第一层于该凹陷中，且在该第一成长制程时配送的该些硅前驱物具有一第一组流速比例；以及
在一第二成长制程时配送该些硅前驱物以形成该源极/漏极区的一第二层于该外延的源极/漏极区的该第一层上，且在该第二成长制程时配送的该些硅前驱物具有一第二组流速比例，而该第二组流速比例与该第一组流速比例不同，
其中该第一成长制程的该些硅前驱物中，键结的气相硅原子与键结的气相氢原子总量对键结的气相氯原子量具有一第一比例；以及
其中该第二成长制程的该些硅前驱物中，键结的气相硅原子与键结的气相氢原子总量对键结的气相氯原子量具有一第二比例，且该第二比例大于该第一比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
