[发明专利]一种N杂环平面状光耦输出材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910921162.1 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110669018A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 罗佳佳 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C07D251/24 分类号: C07D251/24;C07D401/14;C07D239/26;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 光耦输出 平面状 杂环 电致发光器件 材料制备 结构通式 输出材料 资金成本 顶发射 可选 合成 节约 改进
【说明书】:

发明提供了改进的一种N杂环平面状光耦输出材料,所述结构通式为:R1‑R2‑R1,所述合成的输出材料结构式可选自以下结构中任选一种:本发明光耦输出材料具有非常高的n值,使得采用其的顶发射电致发光器件都取得了非常高的效率,且节约了时间和资金成本。本发明还提供了一种N杂环平面状光耦输出材料制备方法。

技术领域

本发明涉及光电技术领域,特别是涉及一种光耦输出材料及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs),其具有主动发光不需要背光源、发光效率高、可视角度大、响应速度快、温度适应范围大、生产加工工艺相对简单、驱动电压低,能耗小,更轻更薄,柔性显示等优点,以及巨大的应用前景,吸引了众多研究者的关注。在OLED中,起主导作用的发光客体材料至关重要。

对于目前使用的顶发射器件结构,其微腔效应能够极大地提高器件效率,窄化光谱,拓宽色域。在器件结构中,光耦合输出层材料(Coupling Layer,CPL)所发挥的作用巨大,高折射率(N)的材料不仅能够提高器件效率,同时能够减薄材料的厚度,达到节约材料降低成本的目的。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明通过设计基于平面芳香基团连接作为桥连中心,在两端连接其他吸收波段很窄的N杂芳香基团进行排列,设计了一系列棒状CPL材料,提供了改性设的光耦输出材料,通过质谱分析对它们的结构进行确认,然后将这些CPL材料应用到发光层制备了一系列高性能的OLED。

本发明提供了一种N杂环平面状光耦输出材料,所述结构通式为:R1-R2-R1,其中,R1可选自以下结构中任一种,

R2可选自以下结构中任一种,

所述合成的输出材料结构式可选自以下结构中任选一种:

优选地,所述输出材料的合成原料中,包括有分别包含有R1基团的第一原料和包含有R2基团的第二原料,其中,R1基团的第一原料可选自以下组分中任选一种:

(11)、(12)、(13)

R2基团的第二原料可选自以下组分中任选一种:

(21)、(22)、(23)、

本发明还提供了一种N杂环平面状光耦输出材料的制备方法,其包括以下步骤:

步骤1)加入含有R1基团的第一原料、包含有R2基团的第二原料,Pd(dppf)Cl2和醋酸钾,抽通多次;

步骤2)在氩气氛围下打入除氧的N,N’-二甲基甲酰胺,在70-100℃反应24小时,冷却至室温;

步骤3)将反应液倒入冰水中,二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶;

步骤4)柱层析分离纯化,得淡蓝色粉末。

所述含有R1基团的第一原料可选自以下组分中任选一种:

(11)、(12)、(13)

所述含有R2基团的第二原料可选自以下组分中任选一种:

(21)、(22)、(23)、

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