[发明专利]一种N杂环平面状光耦输出材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910921162.1 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110669018A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 罗佳佳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D251/24 | 分类号： | C07D251/24;C07D401/14;C07D239/26;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光耦输出 平面状 杂环 电致发光器件 材料制备 结构通式 输出材料 资金成本 顶发射 可选 合成 节约 改进 | ||
1.一种N杂环平面状光耦输出材料，其特征在于：所述结构通式为：R1-R2-R1，其中，
R1可选自以下结构中任一种，
R2可选自以下结构中任一种，
2.根据权利要求1所述N杂环平面状光耦输出材料，其特征在于：所述合成的输出材料结构式可选自以下结构中任选一种：
3.根据权利要求1所述N杂环平面状光耦输出材料，其特征在于：所述输出材料的合成原料中，包括有分别包含有R1基团的第一原料和包含有R2基团的第二原料，其中，R1基团的第一原料可选自以下组分中任选一种：
R2基团的第二原料可选自以下组分中任选一种：
4.一种N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1)加入含有R1基团的第一原料、包含有R2基团的第二原料，Pd(dppf)Cl2和醋酸钾，抽通多次；
步骤2)在氩气氛围下打入除氧的N,N’-二甲基甲酰胺，在70-100℃反应24小时，冷却至室温；
步骤3)将反应液倒入冰水中，二氯甲烷萃取三次，合并有机相，旋成硅胶；
步骤4)柱层析分离纯化，得淡蓝色粉末。
5.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：所述含有R1基团的第一原料可选自以下组分中任选一种：
6.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：所述含有R2基团的第二原料可选自以下组分中任选一种：
7.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：所述第一原料的投入重量配比为：2.6g-3.4g，摩尔量为：10mmol；所述第二原料的投入重量配比为：1.0g-2.1g，摩尔量为：5mmol。
8.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：在步骤2)中，在氩气氛围下打入100ml除氧的N,N’-二甲基甲酰胺，在80℃反应24小时，冷却至室温。
9.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：步骤4)中，加入二氯甲烷和正己烷进行柱层析分离纯化，二氯甲烷和正己烷的配比(体积比)为1:3，经过柱层析分离纯化。
10.根据权利要求4所述的N杂环平面状光耦输出材料的制备方法，其特征在于：步骤3)中，将反应液倒入200ml冰水中，二氯甲烷萃取三次，合并有机相，旋成硅胶。
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