[发明专利]量子点器件背板及其制作方法和量子点器件有效
| 申请号: | 201910918077.X | 申请日: | 2019-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN110635057B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 张爱迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尚伟净 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子 器件 背板 及其 制作方法 | ||
本发明提供了量子点器件背板及其制作方法和量子点器件,该量子点器件背板包括:基板;阴极,所述阴极设置在所述基板的第一表面上;电子传输层,所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的表面上;连接层,所述连接层设置在所述电子传输层远离所述基板的表面上,且与所述电子传输层之间通过化学键键合;量子点层,所述量子点层设置在所述连接层远离所述基板的表面上,且与所述连接层之间通过化学键键合。该量子点器件背板中,通过连接层使得量子点层通过化学键作用结合到电子传输层上,大大提高了量子点层的附着力,使其结合牢固,不易脱落,保证良好的显示效果,且利于提高加工良率和降低成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及量子点器件背板及其制作方法和量子点器件。
背景技术
随着显示新技术的涌现和发展,市场对高分辨率显示产品的要求也不断提升。荧光量子点是近年来发现的一种重要的无机纳米荧光材料,具有优异的物理化学及光学性能,以荧光量子点作为发光材料,应用于发光二极管(Quantum-Dots Light EmittingDiodes,QLED)领域,越来越受到学术界和工业界的广泛关注。当前,每种颜色的荧光量子点需要单独进行一次图案化工艺,将不同颜色的荧光量子点进行图案化(即在一个像素中并排引入红、绿、蓝发光层等),需要重复多次图案化工艺,而量子点在图案化过程中很容易造成脱落和丢失。
因而,目前QLED相关技术仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种量子点附着力强、不易脱落和丢失的量子点器件背板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种量子点器件背板。根据本发明的实施例,该量子点器件背板包括:基板;阴极,所述阴极设置在所述基板的第一表面上;电子传输层,所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的表面上;连接层,所述连接层设置在所述电子传输层远离所述基板的表面上,且与所述电子传输层之间通过化学键键合;量子点层,所述量子点层设置在所述连接层远离所述基板的表面上,且与所述连接层之间通过化学键键合。该量子点器件背板中,通过连接层使得量子点层通过化学键作用结合到电子传输层上,大大提高了量子点层的附着力,使其结合牢固,不易脱落,保证良好的使用效果,且利于提高加工良率和降低成本。
根据本发明的实施例,所述连接层包括:二氧化硅层,所述二氧化硅层设置在所述电子传输层远离所述基板的表面上,并与所述电子传输层之间通过化学键键合;硅烷界面层,所述硅烷界面层设置在所述二氧化硅层远离所述基板的表面上,分别与所述二氧化硅层和所述量子点层之间通过化学键键合。
根据本发明的实施例,所述电子传输层和所述二氧化硅层之间以及所述二氧化硅层和所述硅烷界面层之间通过-Si-O-Si-键合。
根据本发明的实施例,所述硅烷界面层与所述量子点层之间通过-S-或者-NH-键合。
根据本发明的实施例,所述二氧化硅层的厚度为2~6nm。
根据本发明的实施例,形成硅烷界面层的材料包括巯基化硅烷试剂和氨基化硅烷试剂中的至少一种。
根据本发明的实施例,所述巯基化硅烷试剂包括3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷、巯基丙基硅烷、3-巯丙基三甲基硅烷、PSS-(3-巯基)丙基-七异丁基取代和双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的至少一种。
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