[发明专利]量子点器件背板及其制作方法和量子点器件

权利要求书

1.一种量子点器件背板，其特征在于，包括：

基板；

阴极，所述阴极设置在所述基板的第一表面上；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极远离所述基板的表面上；

连接层，所述连接层设置在所述电子传输层远离所述基板的表面上，且与所述电子传输层之间通过化学键键合；

量子点层，所述量子点层设置在所述连接层远离所述基板的表面上，且与所述连接层之间通过化学键键合；

所述连接层包括：

二氧化硅层，所述二氧化硅层设置在所述电子传输层远离所述基板的表面上，并与所述电子传输层之间通过化学键键合；

硅烷界面层，所述硅烷界面层设置在所述二氧化硅层远离所述基板的表面上，分别与所述二氧化硅层和所述量子点层之间通过化学键键合；

所述电子传输层和所述二氧化硅层之间以及所述二氧化硅层和所述硅烷界面层之间通过-Si-O-Si-键合；

所述硅烷界面层与所述量子点层之间通过-S-或者-NH-键合。

2.根据权利要求1所述的量子点器件背板，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为2～6nm。

3.根据权利要求1所述的量子点器件背板，其特征在于，形成所述硅烷界面层的材料包括巯基化硅烷试剂和氨基化硅烷试剂中的至少一种；

所述巯基化硅烷试剂包括3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷、巯基丙基硅烷、3-巯丙基三甲基硅烷、PSS-(3-巯基)丙基-七异丁基取代和双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的至少一种；

所述氨基化硅烷试剂包括3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基-γ-氨丙基)三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基-γ-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、正丁氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨乙基)-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(n-丁基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷和N-(β-氨乙基-γ-氨丙基)三甲氧基硅烷中的至少一种；

形成所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化镁锌，氧化铝锌，氧化铟锌和稀土离子掺杂的氧化锌中的至少一种；

形成所述量子点层的材料包括CdTe、CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSeS、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CuInS/ZnS、(Zn)CuInS/ZnS、(Mn)CuInS/ZnS、AgInS/ZnS、(Zn)AgInS/ZnS、CuInSe/ZnS、CuInSeS/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPhI₃/ZnS、有机无机钙钛矿量子点CH₃NH₃PbX₃、全无机钙钛矿量子点CsPbX₃、碳量子点和硅量子点中的至少一种，其中，X为Cl、Br或I。

4.一种量子点器件，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的量子点器件背板。

5.一种制作权利要求1-3中任一项所述的量子点器件背板的方法，其特征在于，包括：

在基板的第一表面上形成阴极；

在所述阴极远离所述基板的表面上形成电子传输层；

在所述电子传输层远离所述基板的表面上形成连接层，并使所述连接层与所述电子传输层之间形成化学键合；

在所述连接层远离所述基板的表面上形成量子点层，并使所述量子点层与所述连接层之间形成化学键合。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述连接层包括：

在所述电子传输层远离所述基板的表面上形成二氧化硅层；

在所述二氧化硅层远离所述基板的表面上形成硅烷界面层。