[发明专利]用于检测研磨工艺的终点的设备在审
申请号: | 201910917216.7 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN111261536A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 茅一超;张进传;卢思维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 研磨 工艺 终点 设备 | ||
本发明提供一种用于检测研磨工艺的终点的设备,其包含连接器件、计时器以及控制器。连接器件连接到传感器,所述传感器周期性地感测包括至少两种类型的多个管芯的重建晶片的接口以产生厚度信号,所述厚度信号包括从重建晶片的绝缘层的表面到重建晶片的接口的厚度。计时器配置以产生具有带时间间隔的多个脉冲的时钟信号。控制器耦合到传感器和计时器,且配置以根据时钟信号对厚度信号进行滤波以输出在每一时间间隔内的厚度信号中的厚度当中的厚度极值,其中在滤波之后的厚度信号用以确定正对重建晶片执行的研磨工艺的终点。
技术领域
本发明的实施例是有关于一种用于检测的设备,且特别是有关于一种用于检测研磨工艺的终点的设备。
背景技术
半导体器件使用于多种电子应用中,例如个人计算机、手机、数码相机及其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层并使用光刻来图案化各种材料层来制造,以在上面形成电路组件和元件。
在半导体器件的制造中,可执行研磨工艺以去除重建晶片的层上的模制化合物的部分和其它介电材料,进而减小重建晶片的厚度。
由于经受研磨的层通常是薄层,在适当的时间精确停止研磨工艺对制造工艺的产率是重要的。
发明内容
本发明实施例提供一种用于检测研磨工艺的终点的设备,包括:连接器件,配置以与传感器连接,所述传感器周期性地感测包括至少两种类型的多个管芯的重建晶片的接口以产生厚度信号,所述厚度信号包括从所述重建晶片的绝缘层的表面到通过所述传感器感测的所述重建晶片的所述接口的厚度;计时器,配置以产生具有带时间间隔的多个脉冲的时钟信号;以及控制器,耦合到所述传感器以及所述计时器,且配置以根据所述时钟信号对所述厚度信号进行滤波以输出在每一时间间隔内产生的所述厚度信号中的所述厚度当中的厚度极值,其中在所述滤波之后,所述厚度信号用以确定正对所述重建晶片执行的所述研磨工艺的所述终点。
附图说明
在结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,为了论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A到图1G示出根据本发明的一些实施例的用于制造集成扇出型封装件的工艺流程;
图1H示出根据本公开的示例性实施例的包含用于检测研磨工艺的终点的设备的终点检测系统的示意性框图;
图2示出根据本公开的另一示例性实施例的包含用于检测研磨工艺的终点的设备的终点检测系统的示意性框图;
图3A示出根据本公开的示例性实施例的包含多个在研磨工艺之前的管芯的重建晶片部分的横截面视图;
图3B示出根据本公开的示例性实施例的包含多个在研磨工艺期间的管芯的重建晶片部分的横截面视图;
图3C示出根据本公开的示例性实施例的通过感测重建晶片获得的厚度信号的实例;
图4示出根据本公开的示例性实施例的时间间隔和在时间间隔中的每一个中的厚度极值;
图5A到5C示出根据本公开的例示性实施例的厚度信号;
图6示出根据本公开的示例性实施例的用于检测研磨工艺的终点的流程图;
图7示出根据本公开的示例性实施例的用于制造半导体结构的方法的流程图;
附图标号说明:
100:晶片;
100':薄化晶片;
110、110a:半导体衬底;
110':薄化半导体衬底;
120:导电垫;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造