[发明专利]非易失性存储器装置

说明书

公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。

要求于2018年11月8日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0136490号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里的本发明构思涉及半导体存储器，更具体地讲，涉及包括传输元件的非易失性存储器装置。

背景技术

半导体存储器可包括非易失性存储器(诸如，相变存储器、铁电存储器、磁存储器、电阻式存储器和闪存)。具体地讲，相变存储器被配置为使用电流来改变存储器单元的电阻值。即，相变存储器中的存储器单元的写入操作可基于与设置操作或重置操作对应的编程电流。

存储器单元可二维排列。然而，用于写入操作的优化的编程电流可随着存储器单元的相对位置而变化。如果与设置操作对应的相同的编程电流被施加到所有二维排列的存储器单元，或者如果与重置操作对应的相同的编程电流被施加到所有二维排列的存储器单元，则根据存储器单元的位置，写入操作可能不被执行或者在写入操作期间可能发生错误。因此，需要提高非易失性存储器装置的写入操作的可靠性。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种包括传输元件的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可提高写入操作期间的精度和可靠性，并且可减少写入操作期间的错误。

本发明构思的实施例提供一种包括存储体和编程电流生成器的非易失性存储器装置。存储体包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元。传输元件通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。

本发明构思的实施例还提供一种包括外围电路和存储体的非易失性存储器装置。外围电路包括基于参考电流生成编程电流的编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列；传输元件，从编程电流生成器接收编程电流；以及写入驱动器，对来自传输元件的编程电流进行镜像，并对存储器单元阵列的选择的存储器单元执行写入操作。

本发明构思的实施例还提供一种非易失性存储器装置，包括：第一层，包括基于第一编程电流执行写入操作的第一存储体；第二层，包括基于第二编程电流执行写入操作的第二存储体，第二层位于所述第一层之上；编程电流生成器，被配置为基于参考电流生成第一编程电流和第二编程电流；第一传输元件，被配置为通过电流镜像将从编程电流生成器接收的第一编程电流传输到第一存储体；以及第二传输元件，被配置为通过电流镜像将从编程电流生成器接收的第二编程电流传输到第二存储体。

附图说明

鉴于以下参照附图对示例性实施例进行的详细描述，本发明构思的以上和其他目的和特征将变得清楚。

图1示出根据本发明构思的实施例的非易失性存储器装置的框图。

图2示出图1的存储体的示例性实施例的示图。

图3示出图2的存储器单元阵列的示例性电路图。

图4示出参照图1和图2描述的非易失性存储器装置的示例性结构的示图。

图5示出图4的存储体阵列的示图。

图6示出图4的编程电流生成器的电路图。

图7示出包括传输元件的编程电流生成器的电路图。

图8示出在图1和图2中描述的非易失性存储器装置的示例性结构的示图。

图9示出图8的非易失性存储器系统的操作方法的流程图。