[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储体，包括存储器单元阵列和传输元件，其中，存储器单元阵列包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元，并且传输元件被配置为通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列；以及

编程电流生成器，被配置为基于参考电流生成编程电流。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，传输元件包括镜像源晶体管，

镜像源晶体管包括：第一端子，连接成接收编程电流；第二端子，连接成接收电源电压；以及栅极端子，连接到第一端子。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，存储体还包括多个写入驱动器，所述多个写入驱动器被配置为对来自传输元件的编程电流进行镜像以对存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，存储体被划分为：

第一存储器区域，存储器单元阵列的一些相变存储器单元排列在第一存储器区域中；

第二存储器区域，存储器单元阵列的除了所述一些相变存储器单元之外的剩余相变存储器单元排列在第二存储器区域中；以及

存储体中心区域，插入在第一存储器区域与第二存储器区域之间，

其中，传输元件位于存储体中心区域中。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

第二存储体，包括第二存储器单元阵列和第二传输元件，第二存储器单元阵列基于第二编程电流存储数据，第二传输元件被配置为将第二编程电流传输到第二存储器单元阵列，

其中，编程电流生成器还被配置为基于参考电流生成第二编程电流。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，编程电流生成器包括：

参考电流生成器，被配置为生成参考电流；以及

电流调节器，被配置为基于参考电流和第一代码生成编程电流，并且基于参考电流和第二代码生成第二编程电流。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中，电流调节器包括：

第一电流调节晶体管，连接到参考电流生成器，并且被配置为：对参考电流进行镜像以提供第一镜像参考电流，并且基于第一代码调节第一镜像参考电流的电平以提供编程电流；以及

第二电流调节晶体管，连接到参考电流生成器，并且被配置为对参考电流进行镜像以提供第二镜像参考电流，并且基于第二代码调节第二镜像参考电流的电平以提供第二编程电流。

8.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，还包括：开关，被配置为：在存储体和第二存储体的编程操作期间，在待机模式下电连接传输元件和第二传输元件，并且在激活模式下断开传输元件和第二传输元件。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，编程电流生成器被配置为在待机模式下将待机电流输出到传输元件和第二传输元件中的一个，并且

其中，编程电流生成器被配置为在激活模式下将编程电流输出到传输元件，并且将第二编程电流输出到第二传输元件。

10.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，存储体和第二存储体沿第一方向排列，

其中，存储体还包括：多个第一写入驱动器，被配置为对来自传输元件的编程电流进行镜像，以对存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程，所述多个第一写入驱动器沿与第一方向交叉的第二方向排列，并且

其中，第二存储体包括：多个第二写入驱动器，被配置为对来自第二传输元件的第二编程电流进行镜像，以对第二存储器单元阵列的选择的相变存储器单元进行编程，所述多个第二写入驱动器沿第二方向排列。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，传输元件沿第二方向位于与所述多个第一写入驱动器邻近之处，并且

其中，第二传输元件沿第二方向位于与所述多个第二写入驱动器邻近之处。