[发明专利]半导体封装件在审
| 申请号: | 201910914319.8 | 申请日: | 2019-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN111725148A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 姜明杉;朴庸镇;高永宽;金汶日 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/492;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;马翠平 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上,所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
本申请要求于2019年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0030677号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装件。
背景技术
为了应对移动装置的纤薄化(移动装置的发展趋势),已经持续地开发减小与应用处理器(AP)互连的移动动态随机存取存储器(DRAM)封装件的高度的技术。例如,与高度相关的芯片的厚度、芯片附着膜(DAF)的厚度、印刷电路板(PCB)的厚度、引线键合的厚度、模制的厚度等已经逐渐地减小以减小移动DRAM封装件的高度。然而,相关技术预计在不久之后达到减小移动DRAM封装件的高度的极限。例如,在PCB的情况下,与PCB的厚度相关的极限是明显的,因此,存在制备新的结构以用作半导体的重新分布图案的需求。另外,存储器的性能已经得到改善并且存储器的驱动电压已经减小,从而已经考虑使用解耦电容器来稳定驱动电压。
发明内容
本公开的一方面可提供一种可充分减小厚度并且可改善安装的存储器封装件的电性能的半导体封装件。
根据本公开的一方面,可提供一种半导体封装件,其中,嵌有无源组件的布线结构设置在包封剂上以与包封剂一体化。
根据本公开的一方面,一种半导体封装件可包括:半导体芯片,具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及连接结构,设置在所述半导体芯片的设置有所述连接焊盘的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上,所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
根据本公开的另一方面,一种半导体封装件可包括:连接结构,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面并且包括一个或更多个重新分布层;半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有电连接到所述重新分布层的连接焊盘;以及电连接构件,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且提供竖直的电连接路径。第一包封剂设置在所述连接结构的所述第一表面上并且覆盖所述半导体芯片和所述电连接构件中的每个的至少一部分。无源组件设置在所述第一包封剂上,第二包封剂设置在所述第一包封剂上并且覆盖所述无源组件的至少一部分,并且背侧布线层设置在所述第二包封剂上。第一布线过孔贯穿所述第一包封剂和所述第二包封剂并且使所述背侧布线层和所述电连接构件彼此电连接,并且第二布线过孔贯穿所述第二包封剂并且使所述背侧布线层和所述无源组件彼此电连接。
根据本公开的又一方面,一种半导体封装件包括:半导体芯片,具有相对的第一表面和第二表面并且具有位于所述第一表面上的连接焊盘;包封剂,设置在所述半导体芯片的所述第二表面上;以及布线结构,设置在所述包封剂上,具有嵌在所述布线结构中的无源组件,并且包括贯穿所述布线结构和贯穿所述包封剂的至少一个导电过孔。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图;
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