[发明专利]一种孔内电镀结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种孔内电镀结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待制作的孔处曝光、显影；以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；沉积籽晶层金属。本方案在半导体衬底制得到带有籽晶层金属的孔后，于半导体衬底上粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光显影，电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶，避免了光阻填充孔内后，因光阻用量大造成膜面异常状况的发生，也避免了因光阻残留于孔内，影响电镀效果；同时节约成本，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体电镀技术领域，尤其涉及一种孔内电镀结构及其制作方法。

背景技术

传统的孔内电镀是通过整面溅镀以及电镀，然后用光阻将洞口区域覆盖，将其他区域用湿蚀刻去除。主要存在的问题有：溅镀和电镀，使要去除的其他金属层较厚，成本高且去除耗时；用光阻将蚀刻的孔内覆盖，光阻用量大且会造成膜面异常，还会使光阻残留在孔内中；缺乏有效的监控，除裂片外无法确定孔内还有光阻的残留。

发明内容

为此，需要提供一种孔内电镀方法，以避免光阻涂布造成的膜面异常以及光阻在孔内中的残留。

为实现上述目的，发明人提供了一种孔内电镀方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待制作的孔处曝光、显影；

以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；

沉积籽晶层金属；

对半导体衬底粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光、显影；

电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶。

进一步地，在待做半导体衬底覆盖第一光阻层前，还包括步骤：

在孔区域制作种子层金属；

而后在第一光阻层曝光、显影之后还包括步骤：

蚀刻孔处的种子层金属。

进一步地，“在孔区域制作种子层金属”包括步骤：

在半导体衬底上溅镀种子层金属，覆盖第二光阻层，并曝光、显影，保留孔区域的第二光阻层；

蚀刻去除第二光阻层以外的种子层金属，保留孔区域的种子层金属，并去除第二光阻层。

进一步地，所述种子层金属厚度为到

进一步地，去除干膜光刻胶后，还包括步骤：微蚀刻去除孔区域以外的籽晶层金属。

进一步地，所述籽晶层金属厚度为到

进一步地，所述半导体衬底为砷化镓衬底。

本发明提供一种孔内电镀结构，所述孔内的电镀结构由本发明实施例任意一项方法制得。

区别于现有技术，上述技术方案提供了一种孔内电镀的方法，在半导体衬底制得到带有籽晶层金属的孔后，于半导体衬底上粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光显影，电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶，避免了因光阻填充孔后，因光阻用量大造成膜面异常状况的发生，也避免了光阻残留于孔内，影响电镀效果；同时节约成本，提高生产效率。

附图说明

图1为具体实施方式所述制作种子层金属的结构图；

图2为具体实施方式所述保留孔区域种子层金属的结构图；

图3为具体实施方式所述蚀刻的结构图；

图4为具体实施方式所述蚀刻籽晶层金属的结构图；