[发明专利]一种孔内电镀结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910913727.1 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110777406B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭;吴淑芳;马跃辉;陈智广;吴靖;庄永淳 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D7/12;C23C14/34;C23C14/18;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电镀 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种孔内电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：
在孔区域制作种子层金属；
在半导体衬底上覆盖第一光阻层，第一光阻层覆盖在种子层金属上，并在待制作的孔处曝光、显影，蚀刻孔处的种子层金属；
以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；
沉积籽晶层金属到半导体衬底上孔所在的一面；
对半导体衬底上籽晶层金属所在的一面粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光、显影；
电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶。
2.根据权利要求1所述的一种孔内电镀方法，其特征在于，“在孔区域制作种子层金属”包括步骤：
在半导体衬底上溅镀种子层金属，覆盖第二光阻层，并曝光、显影，保留孔区域的第二光阻层；
蚀刻去除第二光阻层以外的种子层金属，保留孔区域的种子层金属，并去除第二光阻层。
3.根据权利要求1所述的一种孔内电镀方法，其特征在于，所述种子层金属厚度为到
4.根据权利要求1所述的一种孔内电镀方法，其特征在于，去除干膜光刻胶后，还包括步骤：微蚀刻去除孔区域以外的籽晶层金属。
5.根据权利要求1所述的一种孔内电镀方法，其特征在于，所述籽晶层金属厚度为到
6.根据权利要求1所述的一种孔内电镀方法，其特征在于，所述半导体衬底为砷化镓衬底。
7.一种孔内电镀结构，其特征在于，所述孔内电镀结构由权利要求1到6任意一项所述的一种孔内电镀方法制得。
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