[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

基板设置步骤，设置一基板；

栅极层制备步骤，在所述基板上表面制备一栅极层；

第一绝缘层制备步骤，在所述栅极层及所述基板上表面制备一第一绝缘层，使得所述第一绝缘层设有通孔；

栅极追踪层制备步骤，在所述第一绝缘层上表面沉积金属材料，形成一栅极追踪层，填充所述通孔，且连接至所述栅极层；以及

第二绝缘层制备步骤，在所述第一绝缘层、所述栅极追踪层上表面制备一第二绝缘层；

所述第一绝缘层制备步骤包括如下步骤：

第二光阻层制备步骤，在所述栅极层上表面涂覆光阻溶液，形成第二光阻层；

第二曝光步骤，对所述第二光阻层进行曝光处理；

第二显影步骤，对所述第二光阻层进行显影处理，形成图案化的所述第二光阻层；

沉积步骤，在所述第二光阻层上表面沉积无机材料，形成所述第一绝缘层；以及

第二去除步骤，去除图案化的所述第二光阻层与该位置相对应的所述第一绝缘层，形成所述通孔；

其中，所述第一绝缘层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，所述第二光阻层的厚度为所述第一绝缘层的厚度的3倍以上；

所述通孔底部的孔径小于其顶部的孔径，且所述通孔的母线与竖直方向的直线在40°～70°之间。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述栅极层制备步骤包括如下步骤：

第一金属层制备步骤，在所述基板上表面沉积金属材料，形成第一金属膜层；

第一光阻层制备步骤，在所述第一金属层上表面涂覆光阻溶液，形成第一光阻层；

第一曝光步骤，对所述第一光阻层进行曝光处理；

第一显影步骤，对所述第一光阻层进行显影处理，形成图案化的所述第一光阻层；

第一湿蚀刻步骤，对所述基板进行湿蚀刻处理，形成图案化的所述栅极层；以及

第一去除步骤，去除所述第一光阻层。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述栅极追踪层制备步骤包括如下步骤：

第二金属层制备步骤，在所述第一绝缘层上表面沉积金属材料，形成第二金属膜层；

第三光阻层制备步骤，在所述第二金属膜层上表面涂覆光阻溶液，形成第三光阻层；

第三曝光步骤，对所述第三光阻层进行曝光处理；

第三显影步骤，对所述第三光阻层进行显影处理，形成图案化的所述第三光阻层；

第二湿刻蚀步骤，对所述基板进行湿刻蚀处理形成图案化的所述栅极追踪层；以及

第三去除步骤，去除图案化的所述第三光阻层。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在所述第二绝缘层制备步骤之后，还包括如下步骤：

有源层制备步骤，在所述第二绝缘层上表面制备一有源层。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在所述有源层制备步骤之后，还包括如下步骤：

源漏极层制备步骤，在所述第二绝缘层上表面制备一源漏极层，其中所述有源层位于相邻的两个源漏极层之间。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在所述第二绝缘层制备步骤之后，还包括如下步骤：

数据线层制备步骤，在所述第二绝缘层上表面制备一数据线层。