[发明专利]内部电压产生电路的设备及方法

说明书

本申请案涉及内部电压产生电路的设备及方法。本发明描述一种设备。根据实施例的所述设备包含分压电阻器电路，所述分压电阻器电路形成在半导体衬底上且包含第一电阻器及第二电阻器以及第一选择器开关及第二选择器开关。所述第一电阻器及所述第二电阻器以及所述第一选择器开关及所述第二选择器开关被布置成第一布局及第二布局中的一者。所述第一布局使得所述第一选择器开关及所述第二选择器开关放置在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间。所述第二布局使得所述第一电阻器及所述第二电阻器放置在所述第一选择器开关与所述第二选择器开关之间。

技术领域

本发明大体来说涉及存储器装置，确切来说涉及内部电压产生电路的设备及方法。

背景技术

高数据可靠性、高速存储器存取、低功耗及小的芯片大小是要求半导体存储器应具备的特征。近年来，一直努力提高半导体存储器装置的存取速度及精确性，同时减小功耗。在一些实例中，由于芯片大小较小且功耗低，因此芯片内电路组件的大小可有较广泛的变化，这可使得能在芯片内使用更大数目个内部电压。由于内部电压较多，因此芯片上可包含更大数目个内部电压产生器电路以提供所述内部电压。然而，增大内部电压产生器电路的数目需要芯片上的额外面积，这会减小其它电路系统的可用性。可期望提供使用在芯片上使用较小的面积的内部电压产生器电路。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种设备，所述设备包括电压产生器电路，所述电压产生器电路包含：多个串联耦合电阻器，其安置在第一区中；多个选择器开关，其安置在所述第一区中且各自耦合到所述多个串联耦合电阻器中的一对电阻器之间的相应节点，其中所述多个选择器开关中的每一者经配置以被选择性激活以自所述相应节点提供相应电压；放大器，其耦合到所述多个选择器开关且经配置以自所述多个串联耦合电阻器接收所述相应电压。

在另一方面中，本申请案提供一种电压产生器电路，所述电压产生器电路包括：多个电阻器；放大器；布线轨道，其耦合到所述放大器；及多个选择器开关，其与所述多个电阻器集成在一起且耦合到所述布线轨道，其中所述多个选择器开关中的一者经配置以被启用以经由所述布线轨道将相应电压提供到所述放大器，而所述多个选择器开关中的其余选择器开关仍停用。

在又一方面中，本申请案提供一种设备，所述设备包括：分压电阻器电路，其形成在半导体衬底上且包含第一电阻器及第二电阻器以及第一转移栅极及第二转移栅极，其中所述第一电阻器及所述第二电阻器以及所述第一转移栅极及所述第二转移栅极被布置成第一布局及第二布局中的一者，其中所述第一布局使得所述第一转移栅极及所述第二转移栅极放置在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间，其中所述第二布局使得所述第一电阻器及所述第二电阻器放置在所述第一转移栅极与所述第二转移栅极之间。

附图说明

图1是根据本发明实施例的设备的框图。

图2是根据本发明实施例的包含分压电阻器电路的电压产生器电路的电路图。

图3是包含根据本发明实施例的电压产生器电路的示范性布局图。

图4是根据本发明实施例的分压电阻器电路的示范性布局图。

图5是根据本发明实施例的分压电阻器电路的示范性布局图。

图6是根据本发明实施例的分压电阻器电路的示范性布局图。

图7在(a)中是电路根据本发明实施例的分压电阻器电路的一部分的示范性布局图，且在(b)中是所述分压电阻器的所述部分的对应示范性电路图。

图8在(a)中是根据本发明实施例的分压电阻器电路的一部分的示范性布局图，且在(b)中是所述分压电阻器电路的所述部分的对应示范性电路图。

图9在(a)中是根据本发明实施例的分压电阻器电路的一部分的示范性布局图，且在(b)中是所述分压电阻器电路的所述部分的对应示范性电路图。