[发明专利]内部电压产生电路的设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电压产生器电路，其包含：

多个串联耦合电阻器，其安置在第一区中；

多个选择器开关，其安置在所述第一区中且各自耦合到所述多个串联耦合电阻器中的一对电阻器之间的相应节点，其中所述多个选择器开关中的每一者经配置以被选择性激活以自所述相应节点提供相应电压；

放大器，其耦合到所述多个选择器开关且经配置以自所述多个串联耦合电阻器接收所述相应电压。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个选择器开关被安置在所述第一区中的所述多个电阻器环绕。

3.根据权利要求2所述的设备，其中多个放大器安置在与所述第一区不同的第二区中。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个选择器开关中的每一者包含相应的串联耦合PMOS晶体管与NMOS晶体管对。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述多个串联耦合电阻器中的第一电阻器及第二电阻器安置在所述多个选择器开关中的相应选择器开关的所述相应的串联耦合PMOS晶体管与NMOS晶体管对之间。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述多个选择器开关中的所述相应选择器开关的所述相应的串联耦合PMOS晶体管与NMOS晶体管对中的PMOS晶体管被定位成比所述多个选择器开关中的所述相应选择器开关的所述相应的串联耦合PMOS晶体管与NMOS晶体管对中的所述NMOS晶体管更接近所述放大器。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电阻器包含在第一方向上彼此平行地延伸且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此对准的一组电阻器。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述一组电阻器中的每一电阻器包含相应金属区，所述相应金属区经配置以提供邻近于所述相应金属区安置的多个触点中的至少一个触点的至少一个引出端。

9.根据权利要求8所述的设备，其中使用共同层金属将所述多个电阻器耦合到所述多个选择器开关。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述电压产生器电路进一步包括布线轨道，其中所述布线轨道经配置以将所述多个选择器开关耦合到所述放大器以将至少一个电压提供到所述放大器的输入。

11.一种电压产生器电路，其包括：

多个电阻器；

放大器；

布线轨道，其耦合到所述放大器；及

多个选择器开关，其与所述多个电阻器集成在一起且耦合到所述布线轨道，其中所述多个选择器开关中的一者经配置以被启用以经由所述布线轨道将相应电压提供到所述放大器，而所述多个选择器开关中的其余选择器开关仍停用。

12.根据权利要求11所述的电压产生器电路，其中所述多个电阻器环绕所述多个选择器开关。

13.根据权利要求11所述的电压产生器电路，其中所述多个电阻器中的一组电阻器安置在所述多个选择器开关中的相应选择器开关的相应PMOS晶体管与相应NMOS晶体管之间。

14.根据权利要求13所述的电压产生器电路，其中所述一组电阻器中的每一者的相应第一端耦合到邻近于对应第一金属区安置的相应第一触点，且所述一组电阻器中的每一者的相应第二端耦合到邻近于对应第二金属区安置的相应第二触点。

15.根据权利要求14所述的电压产生器电路，其中金属层的区段耦合到所述多个选择器开关中的所述相应选择器开关且垂直地延伸，并且与所述一组电阻器中的每一电阻器重叠。