[发明专利]处理基板的边缘光刻胶去除系统和方法

说明书

描述了一种用于处理基板(12)的边缘光刻胶去除系统(10)，其包括具有主体(22)和从主体(22)突出的两个臂(24)的边缘光刻胶去除头(20)。臂(24)彼此隔开，从而在它们之间限定了用于容纳待处理的基板(12)的接收空间(26)。突出臂(24)各自具有彼此面对的功能表面(36)，并且其中功能表面(36)各自包括至少一个流体出口(38)。此外，描述了一种处理基板(12)的方法。

技术领域

本发明涉及一种用于处理基板的边缘光刻胶去除(edge bead removal)系统。此外，本发明涉及一种处理基板的方法。

背景技术

本发明特别涉及借由光刻法生产微结构组件。微结构组件尤其是集成表面、半导体芯片或微机电系统(MEMS)。基板、也称为晶片，用于光刻工艺，其中基板涂覆有也称为抗蚀剂(resist)的光致抗蚀剂(photoresist)。随后借由掩模对涂覆的基板进行曝光，其中光致抗蚀剂的物理和/或化学特性由于曝光而部分改变。

典型地，将光致抗蚀剂以层的形式施加在基板上，其中重要的是所施加的光致抗蚀剂层没有不规则或颗粒。因此，光致抗蚀剂尤其是在基板旋转期间施加，该过程也称为旋涂(spin coating)。这确保了所施加的光致抗蚀剂、即涂层，被尽可能均匀地分布在基板的表面上。

然而，由于在旋涂期间基板的旋转，旋涂导致了在基板的上侧的边缘处的光致抗蚀剂材料的光刻胶(head)。实际上，当旋转基板时出现的离心力将施加在基板上的抗蚀剂材料径向向外推动，使得形成边缘光刻胶。

迄今为止，要么使用用于溶剂分配的宏针(macro needle)来去除涂层光刻胶，但是当晶片弯曲时这是不准确的。

还已知的是，使用溶剂或气流，其被引导朝向基板，以便去除已经存在的边缘光刻胶，或者更确切地说去除光致抗蚀剂的多余材料，以防止在边缘上形成光刻胶。换句话说，溶剂或气流将避免光刻胶的出现和/或去除已经存在的光刻胶。

已知的边缘光刻胶去除系统用于相应的涂布机模块中，其中将抗蚀剂材料施加在基板上，使得在边缘光刻胶去除过程期间务必考虑涂布机模块的几何限制。通常，该系统以及相应的过程对于待处理基板的弯曲变化高度敏感。

发明内容

因此，需要一种处理基板的边缘光刻胶去除系统以及方法，其允许更有效地去除边缘光刻胶。

本发明提供一种用于处理基板的边缘光刻胶去除系统，该系统包括具有主体和从主体突出的两个臂的边缘光刻胶去除头，其中，所述臂彼此隔开，从而在它们之间限定了用于容纳待处理的基板的接收空间，其中，臂各自具有彼此面对的功能表面，并且其中功能表面各自包括至少一个流体出口。

因此，边缘光刻胶去除系统使用单独形成的基本上为C形的边缘光刻胶去除头，这是因为边缘光刻胶去除头具有主体和从主体特别是从主体的同一侧突出的两个臂。因此，主体和两个臂一起形成用于待处理基板的接收空间，其中该接收空间仅向一侧开放以容纳待处理的基板。由于两个臂各自具有带有至少一个流体出口的功能表面，因此可以将流体流从相应的流体出口引导朝向接收空间和容纳在接收空间中的基板。因此，第一流体流可以被引导朝向基板的上表面，特别是在施加到基板的上表面上的光致抗蚀剂材料上。此外，第二流体流可以被引导朝向未涂覆有光致抗蚀剂材料的基板的下侧。

然而，第二流体流可以被引导至待处理基板的边缘或沿着该待处理基板的边缘引导，以便在基板的上侧上生成负压或者更确切地说真空。由于所生成的负压或者更确切地说真空，因此已经存在的边缘光刻胶或者更确切地说形成边缘光刻胶的抗蚀剂材料被去除。这通常与喷射泵的原理相对应，根据该原理，借由从下侧向着上侧沿着基板的边缘流动的流体流，在基板的上侧上生成输送流。实际上，所生成的流体流吸引了多余的光致抗蚀剂材料，从而避免了边缘光束。换句话说，由于适当的流体流被引导在基板的下边缘处，即第二流体流，因此可以以简单的方式防止由于旋涂而造成的通常出现在基板的上侧的边缘上的光致抗蚀剂材料的光刻胶。