[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

第一类器件包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、第一栅极，以及设置在第一鳍结构上方的第一槽接触件。第一栅极在第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸。第一槽接触件具有在第一方向上测量的第一槽接触件尺寸。第二类器件包括：在第三方向上延伸的第二鳍结构、第二栅极，以及设置在第二鳍结构上方的第二槽接触件。第二栅极在第四方向上延伸并具有在第三方向上测量的第二栅极尺寸。第二槽接触件具有在第三方向上测量的第二槽接触件尺寸。第二槽接触件尺寸大于第二栅极尺寸并且大于第一槽接触件尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例提供了半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。然而，传统的晶体管布局设计尚未针对高速IC应用进行优化，其中寄生电容和/或电阻会显著降低器件性能。

因此，虽然现有的半导体IC器件对于它们的预期目的通常已经足够，但它们不是在每个方面都完全都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一类器件，其中，所述第一类器件包括：第一鳍结构，在第一方向上延伸；第一栅极，包裹所述第一鳍结构，其中，所述第一栅极在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸；以及第一槽接触件，设置在所述第一鳍结构上方，其中，所述第一槽接触件具有在所述第一方向上测量的第一槽接触件尺寸；以及第二类器件，其中，所述第二类器件包括：第二鳍结构，在第三方向上延伸；第二栅极，包裹所述第二鳍结构，其中，所述第二栅极在与所述第三方向不同的第四方向上延伸并具有在所述第三方向上测量的第二栅极尺寸；以及第二槽接触件，设置在所述第二鳍结构上方，其中，所述第二槽接触件具有在所述第三方向上测量的第二槽接触件尺寸，其中，所述第二槽接触件尺寸大于所述第二栅极尺寸并且大于所述第一槽接触件尺寸。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：逻辑器件，其中，所述逻辑器件包括：第一有源区，在所述第一方向上延伸；多个第一栅极，每个第一栅极在顶视图中与所述第一有源区相交，其中，所述第一栅极的每个在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，并且其中，每对相邻的第一栅极限定第一栅极间距；以及多个第一槽接触件，设置在所述第一有源区上方，其中，所述第一槽接触件的每个具有在所述第一方向上测量的第一槽接触件宽度；以及非逻辑器件，其中，所述非逻辑器件包括：第二有源区，在所述第一方向上延伸；多个第二栅极，每个第二栅极在顶视图中与所述第二有源区相交，其中，所述第二栅极的每个在所述第二方向上延伸，并且其中，每对相邻的第二栅极限定大于所述第一栅极间距的第二栅极间距；以及多个第二槽接触件，设置在所述第二有源区上方，其中，所述第二槽接触件的每个具有在所述第一方向上测量的第二槽接触件宽度，其中，所述第二槽接触件宽度大于所述第一槽接触件宽度。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：接收集成电路(IC)布局设计，其中，IC布局设计包括在第一方向上延伸的有源区、在顶视图中在所述第二方向上延伸并与所述有源区相交的多个栅极，以及每个均在所述顶视图中与所述有源区相交的多个槽接触件；以及至少部分修改IC布局设计：在第一方向上扩大每个槽接触件；或者增加所述多个栅极在所述第一方向上分隔开的间距。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。还应强调，所附附图仅示出了本发明的典型实施例，并且因此不应认为限制范围，因为本发明同样可以适用于其它实施例。