[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910910885.1 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957366A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 林杰峯;林志勇;于殿圣;杨筱岚;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一类器件，其中，所述第一类器件包括：
第一鳍结构，在第一方向上延伸；
第一栅极，包裹所述第一鳍结构，其中，所述第一栅极在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸；以及
第一槽接触件，设置在所述第一鳍结构上方，其中，所述第一槽接触件具有在所述第一方向上测量的第一槽接触件尺寸；以及
第二类器件，其中，所述第二类器件包括：
第二鳍结构，在第三方向上延伸；
第二栅极，包裹所述第二鳍结构，其中，所述第二栅极在与所述第三方向不同的第四方向上延伸并具有在所述第三方向上测量的第二栅极尺寸；以及
第二槽接触件，设置在所述第二鳍结构上方，其中，所述第二槽接触件具有在所述第三方向上测量的第二槽接触件尺寸，其中，所述第二槽接触件尺寸大于所述第二栅极尺寸并且大于所述第一槽接触件尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件包括逻辑器件；
所述第二类器件包括非逻辑器件；以及
所述第一类器件和所述第二类器件制造在同一集成电路(IC)芯片上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
在所述第一槽接触件尺寸和所述第一栅极尺寸之间存在第一比率；
在所述第二槽接触件尺寸和所述第二栅极尺寸之间存在第二比率；以及
所述第二比率大于所述第一比率。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括与所述第一栅极分隔开第一栅极间距的第三栅极；
所述第二类器件还包括与所述第二栅极间隔开第二栅极间距的第四栅极；以及
所述第二栅极间距大于所述第一栅极间距。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括设置在所述第一槽接触件上方的第一通孔，所述第一通孔的第一通孔尺寸大于所述第一槽接触件尺寸；以及
所述第二类型器件还包括设置在所述第二槽接触件上方的第二通孔，所述第二通孔的第二通孔尺寸小于所述第一槽接触件尺寸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括：
多个附加的第一槽接触件在所述第一方向上彼此间隔开；以及
一个或多个连续的第一金属线，每条金属线在所述第一方向上延伸并且电连接至所述第一槽接触件的至少一个子集中的每个；所述第二类器件还包括：
多个附加的第二槽接触件在所述第三方向上彼此间隔开；以及
多个金属岛，每个金属岛电连接至所述第二槽接触件中不同的一个。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
第一类器件还包括：
多个第一栅极，在所述第一方向上彼此间隔开；
第一金属线，在所述第一方向上延伸；
第二金属线，在所述第一方向上延伸；
多个第一栅极接触件的第一子集，设置在所述第一栅极和所述第一金属线之间；以及
多个第一栅极接触件的第二子集，设置在所述第一栅极和所述第二金属线之间；以及
所述第二类器件还包括：
多个第二栅极，在所述第三方向上彼此间隔开；
第三金属线，在所述第三方向上延伸；
第四金属线，在所述第三方向上延伸；
第五金属线，在所述第三方向上延伸，在顶视图中所述第五金属线设置在所述第三金属线和所述第四金属线之间；以及
多个第二栅极接触件，设置在所述第二栅极和所述第五金属线之间。
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