[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成穿过多个初始第一模层和多个初始第二模层的孔以分别形成在垂直于下部结构的垂直方向上交替堆叠在所述下部结构上的多个第一模层和多个第二模层；

沿着所述孔的侧表面部分地蚀刻所述多个第一模层，以形成多个凹陷区域和多个凹陷的第一模层；

在所述多个凹陷区域中形成多个第三模层以形成多个层间绝缘层，使得所述多个层间绝缘层中的每个包括所述多个第三模层中的对应的第三模层和所述多个凹陷的第一模层中的对应的凹陷的第一模层，该对应的第三模层和该对应的凹陷的第一模层在所述垂直方向上位于相同的水平；以及

在所述孔中形成第一电介质层，所述第一电介质层覆盖彼此堆叠的所述多个第三模层和所述多个第二模层；以及

在所述第一电介质层上形成多个信息存储图案。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述多个第三模层中的每个填充所述多个凹陷区域中的对应的凹陷区域，所述对应的凹陷区域设置在所述多个第二模层中的两个相邻的第二模层之间，并且所述多个第三模层中的每个延伸超过所述两个相邻的第二模层的侧表面到所述孔中。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述多个第三模层中的每个在所述孔中具有圆化的拐角。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一电介质层共形地形成在所述多个第三模层的侧表面和所述多个第二模层的侧表面上；以及

所述多个信息存储图案在所述垂直方向上彼此间隔开，并且所述多个信息存储图案中的每个在所述垂直方向上与所述多个第二模层中的对应的第二模层位于相同的水平。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中形成所述多个第三模层包括：

在所述多个凹陷区域中形成多个牺牲图案；以及

氧化所述多个牺牲图案以形成所述多个第三模层，其中所述多个第三模层中的每个与所述多个凹陷的第一模层中的对应的凹陷的第一模层接触。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中形成所述多个第三模层包括：

沿着所述孔的内侧表面形成牺牲层以填充所述多个凹陷区域；

蚀刻所述牺牲层以暴露所述多个第二模层的侧表面，从而形成保留在所述多个凹陷区域中的多个牺牲图案；以及

氧化所述多个牺牲图案以形成所述多个第三模层。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所述牺牲层由半导体材料形成。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中所述多个第三模层中的每个的由所述孔暴露的侧表面具有圆化的形状。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述孔中依次形成在所述第一电介质层上的所述多个信息存储图案、覆盖所述第一电介质层和所述多个信息存储图案的第二电介质层以及在所述第二电介质层上的沟道半导体层，使得所述第二电介质层插设在所述第一电介质层与所述半导体沟道层之间以及在所述多个信息存储图案与所述半导体沟道层之间。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成穿过所述多个层间绝缘层和所述多个第二模层的分隔沟槽；

去除由所述分隔沟槽暴露的所述多个第二模层以形成多个空隙空间；

在所述多个空隙空间中形成多个栅极图案；以及

在所述分隔沟槽中形成分隔结构。