[发明专利]能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂有效

专利信息
申请号: 201910908573.7 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN112558409B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 钱晓春;胡春青;龚艳;刘葛 申请(专利权)人: 常州强力先端电子材料有限公司;常州强力电子新材料股份有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;C09D11/03;C09D11/38;C09D7/63;C07D209/48;C07D403/04;C07D401/04;C07D209/86;C07D409/04;C07D417/04;C07D413/04;C07D209/88
代理公司: 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 代理人: 刘子文;徐驰
地址: 213159 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 能够 高产 亚胺 类光产酸剂
【权利要求书】:

1.一种能够在I线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂,具有通式(A)所示结构:

其中,

R1为C1-C6的直链或支链的全氟代烷基、全氟代苯基、至少一个氢原子被C1-C6的烷基或氟代烷基所取代的苯基、或樟脑基;

L为连接位在N原子上的吡咯基、吲哚基、1,2-二氢喹啉基、吗啉基、咪唑基或咔唑基,任选地,L上的至少一个氢原子可以被R2所取代;其中,

R2选自下列基团:

卤素;

C1-C20的直链或支链的烷基或卤代烷基,任选地,其中的-CH2-可以被-O-或-S-所取代;

苯基,任选地,其中的至少一个氢原子可以被C1-C4的烷基所取代;

C7-C10的苯基烷基,任选地,其中的-CH2-可以被-O-所取代;

R1’-CO-,其中R1’表示C1-C6的烷基、苯基,且任选地,苯基中的至少一个氢原子可以被C1-C4的烷基或烷氧基所取代;

R2’-CO-O-R3’-,其中R2’表示C1-C8的烷基、苯基,R3’表示单键或C3-C4的炔基,并且所述烷基中的-CH2-可任选地被-O-所取代,所述苯基中的至少一个氢原子可任选地被C1-C4的烷基所取代;

C2-C6的直链或支链的烯基,任选地,其中的-CH2-可以被-O-所取代;

以C6-C10的芳基为封端的C2-C4的烯基;

C2-C6的直链或支链的炔基;

以C6-C10的芳基为封端的C2-C4的炔基;

C1-C6的烷基磺酰氧基,任选地,烷基上的氢可以被氟原子所取代;

或C6-C10的芳基磺酰氧基;

并且当R2的数量大于1时,它们可彼此相同或不同。

2.根据权利要求1所述的磺酰亚胺类光产酸剂,其特征在于:所述卤素为氟、氯、溴或碘原子。

3.根据权利要求1所述的磺酰亚胺类光产酸剂,其特征在于,选自下列结构:

4.一种酸产生方法,其特征在于:对权利要求1-3中任一项所述的磺酰亚胺类光产酸剂照射活性能量射线。

5.根据权利要求4所述的酸产生方法,其特征在于:所述活性能量射线为近紫外光区域、可见光区域的波长在300-450nm之间的活性能量射线。

6.根据权利要求5所述的酸产生方法,其特征在于:所述活性能量射线为波长365nm的活性能量射线。

7.权利要求1-3中任一项所述的磺酰亚胺类光产酸剂在制备涂料、涂敷剂、油墨、抗蚀膜、液态抗蚀剂、负型抗蚀剂、正型抗蚀剂、MEMS用抗蚀剂、负型感光性材料、立体光刻和微立体光刻用材料中的应用。

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