[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆；

按照预设曝光程式在所述晶圆表面多次曝光，形成多个曝光区域，其中，相邻两个曝光区域的曝光图形的方向相差90°。

2.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述曝光区域呈矩形，且多个所述曝光区域的尺寸相同。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：一个所述曝光区域中包含至少一个裸片。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述曝光区域在X方向上排列成多列，在Y方向上排列成多行，所述X方向与所述Y方向在所述晶圆所在平面上相互垂直，其中，至少有两行的曝光区域数量不同，至少有两列的曝光区域数量不同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述曝光区域划分为多个第一曝光区域及多个第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域在X方向上及Y方向上均间隔排布，所述X方向与所述Y方向在所述晶圆所在平面上相互垂直，其中，所有所述第一曝光区域的曝光图形的方向均相同，所有所述第二曝光区域的曝光图形的方向均相同，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的曝光图形的方向相差90°。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述曝光区域划分为多个第一曝光区域及多个第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域在X方向上及Y方向上均间隔排布，所述X方向与所述Y方向在所述晶圆所在平面上相互垂直，其中，所有所述第一曝光区域的曝光图形的方向均相同，至少有两个所述第二曝光区域的曝光图形的方向不同，相邻的所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的曝光图形的方向相差90°。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述曝光区域划分为多个第一曝光区域及多个第二曝光区域，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域在X方向上及Y方向上均间隔排布，所述X方向与所述Y方向在所述晶圆所在平面上相互垂直，其中，至少有两个所述第一曝光区域的曝光图形的方向不同，至少有两个所述第二曝光区域的曝光图形的方向不同，相邻的所述第一曝光区域与所述第二曝光区域的曝光图形的方向相差90°。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述曝光区域使用同一掩模版，或多个所述曝光区域使用的掩膜版中的图形相同。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述半导体结构包括三维存储器件。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

晶圆；

多个曝光区域，位于所述晶圆表面，相邻两个所述曝光区域的曝光图形的方向相差90°。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于：所述曝光区域呈矩形，且多个所述曝光区域的尺寸相同。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于：一个所述曝光区域中包含至少一个裸片。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于：多个所述曝光区域在X方向上排列成多列，在Y方向上排列成多行，所述X方向与所述Y方向在所述晶圆所在平面上相互垂直，其中，至少有两行的曝光区域数量不同，至少有两列的曝光区域数量不同。