[发明专利]银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件

说明书

本发明属于导电材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件。所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能，可将边框部分完全折叠到背面，从而也可以实现真正意义上的“无边框”效果。

技术领域

本发明属于导电材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件。

背景技术

随着科技的发展，可弯折、可卷曲的柔性光电器件逐渐被大众熟知，无论是在消费者领域，还是工业应用层面，均被认为具有广阔的应用前景。传统的光电器件一般用刚性的玻璃基板如氧化铟锡(ITO)做透明电极材料，显然不能满足柔性光电器件可弯折、甚至可卷曲的要求。为了解决这一问题，兼具高导电能力、高透光性、可折叠的银纳米线(SilverNanowires，AgNWs，简称银线)透明导电薄膜被用来替代ITO电极，可以应用于大尺寸触控和柔性触控等领域。

窄边框/无边框是光电器件的发展趋势，目前大尺寸触控屏、折叠屏等应用兴起的同时，窄边框工艺以及发展到瓶颈阶段：传统的激光工艺制备器件的边框最宽，黄光蚀刻法制备的窄边框并不能完全实现无边框，在大尺寸光电器件应用中，边框仍然较宽，且污染较大如蚀刻使用强酸、脱膜使用强碱，对设备需求、环境保护都提出了重大挑战。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件，旨在解决现有器件边框较宽，且污染较大的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种银纳米线导电薄膜，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。

在一个实施例中，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。

在一个实施例中，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um；和/或，

所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um；和/或，

所述光阻干膜层的厚度为1-100um。

在一个实施例中，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种；和/或，

所述银纳米线导电薄膜为图案化的银纳米线导电薄膜。

本发明提供的银纳米线导电薄膜包括层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层，且银纳米线膜层与基板之间设置有边缘走线层；该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，可以降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能，可将边框部分完全折叠到背面，从而也可以实现真正意义上的“无边框”效果。

本发明另一方面提供一种触控器件，所述触控器件包括本发明所述的银纳米线导电薄膜和设置在所述银纳米线导电薄膜表面的盖板。

在一个实施例中，所述盖板为玻璃盖板或高分子盖板。

本发明提供的触控器件包括了本发明提供的特有的银纳米线导电薄膜，该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低高触控器件的成本，减少环境污染。