[发明专利]银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件在审
| 申请号： | 201910907055.3 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110689996A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 孟祥浩;李奇琳;甘堃;陈超云 | 申请（专利权）人： | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 银纳米线 膜层 基板 导电薄膜 干膜层 光阻 耐弯折性能 边框 层叠设置 导电材料 膜层表面 曝光显影 保护层 酸刻蚀 图案化 无边框 走线层 折叠 触控 刻蚀 脱模 显影 制备 背面 | ||
1.一种银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。
2.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。
3.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um；和/或，
所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um；和/或，
所述光阻干膜层的厚度为1-100um。
4.如权利要求1-3任一项所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种；和/或，
所述银纳米线导电薄膜为图案化的银纳米线导电薄膜。
5.一种触控器件，其特征在于，所述触控器件包括权利要求1-4任一项所述的银纳米线导电薄膜和设置在所述银纳米线导电薄膜表面的盖板。
6.如权利要求5所述的触控器件，其特征在于，所述盖板为玻璃盖板或高分子盖板。
7.一种银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，在所述基板表面制备边缘走线层；
提供光阻干膜，在所述光阻干膜表面制备银纳米线膜层；
将制备有所述银纳米线膜层的光阻干膜表面贴附到制备有所述边缘走线层的基板表面上，然后进行曝光显影。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：将所述银纳米线膜层与所述边缘走线层的接触部位进行激光烧结处理。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述激光烧结处理的步骤中，激光烧结的温度为80-400℃；和/或，
激光烧结的时间为0.1-4s。
10.如权利要求7-9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述基板表面制备边缘走线层的步骤包括：将感光银浆印刷在所述基板表面，或者将铜箔涂布在所述基板表面；和/或，
在所述光阻干膜表面制备银纳米线膜层的步骤包括：将银纳米线墨水涂布在所述光阻干膜表面；和/或，
所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。
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