[发明专利]一种紧凑的带锁存功能的反相器在审
| 申请号： | 201910903594.X | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110492870A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;金正扬;邓琪 | 申请（专利权）人： | 成都矽能科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 610093 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反相器 反相 锁存 控制信号 接地端 锁存单元 电源端 晶体管 输出端 输出反相器 输入端连接 结构实现 连接电源 输出节点 输出信号 源极接地 栅极连接 传统的 地电平 输入端 正反馈 低电 浮空 高电 漏极 紧凑 | ||
【权利要求书】：
1.一种紧凑的带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，所述反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端，所述反相单元的输入端连接所述反相器的输入信号，其电源端连接电源电压，其输出端输出所述反相器的输出信号；
其特征在于，所述锁存单元包括第二NMOS管，第二NMOS管的栅极连接控制信号，其漏极连接所述反相单元的接地端，其源极接地。
2.根据权利要求1所述的紧凑的带锁存功能的反相器，其特征在于，所述反相单元包括第一NMOS管和第一PMOS管，第一PMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极并作为所述反相单元的输入端，其源极作为所述反相单元的电源端，其漏极连接第一NMOS管的漏极并作为所述反相单元的输出端；第一NMOS管的源极作为所述反相单元的接地端。
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