[发明专利]一种紧凑的带锁存功能的反相器

说明书

一种紧凑的带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端，反相单元的输入端连接反相器的输入信号，其电源端连接电源电压，其输出端输出反相器的输出信号；锁存单元包括第二NMOS管，第二NMOS管的栅极连接控制信号，其漏极连接反相单元的接地端，其源极接地。当控制信号为高电平时，反相器作为一般反相器使用，当控制信号为低电平时，反相器输出节点浮空，反相器实现锁存功能。本发明提出的带锁存功能的反相器，仅利用一个接在反相单元的接地端和地电平之间的晶体管即可实现锁存功能，相比传统的使用正反馈结构实现锁存的反相器而言，减少了晶体管数量，节省了面积。

技术领域

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种紧凑的带锁存功能的反相器。

背景技术

随着集成电路工艺技术的快速发展，集成电路产业已经进入了纳米时代，电路的规模持续增大，相反芯片所占的面积越来越小，减小电路的面积已经成为集成电路产业发展的重要趋势。

锁存器和反相器是数字设计中重要的基本组合逻辑电路，广泛应用于计数器电路、奇偶判断电路等功能模块中。反相器的功能是实现输出电平和输入电平的反相，当输入电平为高时，输出低电平；当输入电平为低时，输出高电平。锁存器的功能是在数字逻辑中实现信号锁存功能，当锁存器的输入电平均为低电平时，输出锁存。为了实现带锁存功能的反相器，传统的电路方案需要使用锁存器，而传统的锁存器通过正反馈实现锁存功能，所使用的晶体管数量较多，所需面积较大。

发明内容

针对传统带锁存功能的反相器利用正反馈结构实现锁存功能存在的需要晶体管数量较多的问题，本发明提出了一种紧凑的带锁存功能的反相器，仅用仅一个晶体管将输出点浮空即可实现锁存，大大减少了晶体管数量。

本发明的技术方案为：

一种紧凑的带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，所述反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端，所述反相单元的输入端连接所述反相器的输入信号，其电源端连接电源电压，其输出端输出所述反相器的输出信号；

所述锁存单元包括第二NMOS管，第二NMOS管的栅极连接控制信号，其漏极连接所述反相单元的接地端，其源极接地。

具体的，所述反相单元包括第一NMOS管和第一PMOS管，第一PMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极并作为所述反相单元的输入端，其源极作为所述反相单元的电源端，其漏极连接第一NMOS管的漏极并作为所述反相单元的输出端；第一NMOS管的源极作为所述反相单元的接地端。

本发明的有益效果为：本发明提出的带锁存功能的反相器，仅利用一个接在反相单元的接地端和地电平之间的晶体管即可实现锁存功能，相比传统的使用正反馈结构实现锁存的反相器而言，减少了晶体管数量，节省了面积。

附图说明

图1为本发明提出的一种紧凑的带锁存功能的反相器在实施例中的实现形式。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述：

本发明提出了一种紧凑的带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，反相单元用于实现反相功能，可采用传统的反相器结构，如图1所示给出了反相单元的一种实现形式，包括第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1，第一PMOS管MP1的栅极连接第一NMOS管MN1的栅极并作为反相单元的输入端连接反相器的输入信号IN，其源极作为反相单元的电源端连接电源电压VDD，其漏极连接第一NMOS管MN1的漏极并作为反相单元的输出端输出反相器的输出信号OUT；第一NMOS管MN1的源极作为反相单元的接地端。