[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在第一互连线的第一端处并且在第一方向上与第一互连线相邻；第二互连线，在与第一方向交叉的第二方向上与第一互连线间隔开并在第一方向上延伸，第二互连线具有第二端；第二阻挡图案，在第二互连线的第二端处并且在第一方向上与第二互连线相邻，其中第一阻挡图案在第一方向上的宽度不同于第二阻挡图案在第一方向上的宽度。

技术领域

实施方式涉及半导体器件。

背景技术

由于半导体器件已经被高度集成，半导体器件中的图案的节距已经减小。

发明内容

可以通过提供一种半导体器件来实现实施方式，该半导体器件包括：第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在第一互连线的第一端处并且在第一方向上与第一互连线相邻；第二互连线，在与第一方向交叉的第二方向上与第一互连线间隔开并在第一方向上延伸，第二互连线具有第二端；第二阻挡图案，在第二互连线的第二端处并且在第一方向上与第二互连线相邻，其中第一阻挡图案在第一方向上的宽度不同于第二阻挡图案在第一方向上的宽度。

可以通过在衬底上提供一种半导体器件来实现实施方式，该半导体器件包括：在衬底上的绝缘层；第一互连线和第二互连线，在绝缘层中并在第一方向上彼此相对，第一互连线和第二互连线在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在绝缘层中的第一互连线和第二互连线之间；气隙，在绝缘层中的第一阻挡图案的一侧并在第一方向上延伸。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，其中：

图1A示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图1B示出沿图1A的线I-I'截取的截面图。

图2示出根据一些实施方式的制造半导体器件的方法的流程图。

图3A至图13A示出了根据一些实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段的平面图。

图3B至图13B分别示出沿图3A至图13A的线I-I'截取的截面图。

图9C和图11C分别示出沿图9A和图11A的线II-II'截取的截面图。

图14示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图15示出根据一些实施方式的半导体器件的平面图。

图16示出根据一些实施方式的半导体器件的截面图。

具体实施方式

图1A示出根据一些实施方式的半导体器件1的平面图，图1B示出沿图1A的线I-I'截取的截面图。在本说明书的附图中，为了便于描述和说明的目的，与其实际尺寸和/或比例相比，一些部件或元件的尺寸和/或比例可能被夸大或减小。例如，所示部件或元件的尺寸和/或比例可以与它们的实际尺寸和/或比例不同。在一实施例中，半导体器件1可以是逻辑器件。在一实施例中，半导体器件1可以是存储器件。

参考图1A和图1B，半导体器件1可以包括衬底100、绝缘层110、互连结构150、第一阻挡图案130a、第二阻挡图案130b、气隙AG和覆盖层170。

衬底100可以是包括硅(Si)、硅锗(SiGe)、锗(Ge)或镓砷(GaAs)的半导体衬底。在一实施例中，衬底100可以是绝缘体上硅(SOI)衬底。