[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；

第一阻挡图案，在所述第一互连线的第一端处并且在所述第一方向上与第一互连线相邻；

第二互连线，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一互连线间隔开并在所述第一方向上延伸，所述第二互连线具有第二端；和

第二阻挡图案，在所述第二互连线的第二端处并且在所述第一方向上与所述第二互连线相邻，

其中所述第一阻挡图案在所述第一方向上的宽度不同于所述第二阻挡图案在所述第一方向上的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第一气隙和第二气隙，所述第一气隙和所述第二气隙彼此间隔开，其间具有所述第一阻挡图案，

其中所述第一气隙和所述第二气隙在所述第一方向上延伸。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括封闭所述第一气隙和所述第二气隙的覆盖层，

其中所述覆盖层覆盖所述第一互连线和所述第二互连线的上表面以及所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案的上表面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第三互连线，所述第三互连线具有第三端并且在所述第一方向上延伸，

其中：

所述第三互连线的所述第三端在所述第一方向上与所述第一互连线的所述第一端相对，并且

所述第一阻挡图案位于所述第一互连线和所述第三互连线之间。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案在所述第二方向上的宽度与所述第一互连线在所述第二方向上的宽度相同。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案在所述第二方向上的宽度大于所述第一互连线在所述第二方向上的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬底；和

在所述衬底上的绝缘层，

其中：

所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和所述第二阻挡图案在所述绝缘层中，并且

所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案包括相对于所述绝缘层具有蚀刻选择性的材料。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬底；和

在所述衬底上的绝缘层，

其中：

所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和所述第二阻挡图案在所述绝缘层中，并且

所述第一互连线的底表面的水平和所述第二互连线的底表面的水平与所述第一阻挡图案的底表面的水平和所述第二阻挡图案的底表面的水平相同。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬底；和

在所述衬底上的绝缘层，

其中：

所述第一互连线、所述第一阻挡图案、所述第二互连线和所述第二阻挡图案在所述绝缘层中，并且

所述第一互连线的底表面的水平和所述第二互连线的底表面的水平高于所述第一阻挡图案的底表面的水平和所述第二阻挡图案的底表面的水平。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一互连线和所述第二互连线之间并在所述第一方向上延伸的第三互连线。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案在所述第二方向上彼此相对。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案包括氧化物和氮化物中的至少一种。