[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910901604.6 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110610975B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨盛际;陈小川;王辉;黄冠达;卢鹏程;赵云翠;谢东妹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括叠设的微腔结构层和发光结构层,所述微腔结构层中设置有反射电极,所述微腔结构层的表面上设置有凹槽,所述发光结构层包括设置在所述凹槽内的第一电极,所述第一电极与所述反射电极连接。本发明通过在微腔结构层上形成凹槽,发光结构层的第一电极设置在凹槽内,有效控制了第一电极与微腔结构层之间的断差,不仅解决了现有硅基OLED微显示器制备过程中存在阴极与阳极短路的问题,而且保证了后续蒸镀的表面平整度和均一性要求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有机发光显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微显示器具有广阔的市场应用空间,特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等。微显示器处于微电子技术和光电子技术的交叉领域,涉及的技术非常广泛,包括光电子学、微电子学、电子信息学和光学等,是一个涉及物理学、化学、材料学和电子学等多学科的技术领域。其中,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)技术和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)技术相结合的硅基OLED微显示器,是光电子产业和微电子产业交叉集成的产品,既可以促进新一代的微型显示的发展,也可以推进硅上有机电子甚至是硅上分子电子的研究和发展。
与数字微镜元件(Digital Micromirror Device,DMD)和硅基液晶(LiquidCrystal on Silicon,LCOS)微显示器相比,硅基OLED微显示器具有非常优秀的显示特性,包括亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等,具有非常优秀的用户体验。此外,由于OLED是一种全固态型器件,抗震性能好,工作温度范围宽(-40℃~85℃),非常适合于军事和特殊应用。进一步地,由于OLED属于自发光器件,不需要背光源,视角范围大,厚度薄,有利于减小系统体积,尤其适用于近眼显示系统。
实际使用表明,现有硅基OLED微显示器制备过程中存在阴极与阳极短路的问题,且难以修复,降低了产品良品率,增加了生产成本。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有硅基OLED微显示器制备过程中存在阴极与阳极短路的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板,包括叠设的微腔结构层和发光结构层,所述微腔结构层中设置有反射电极,所述微腔结构层的表面上设置有凹槽,所述发光结构层包括设置在所述凹槽内的第一电极,所述第一电极与所述反射电极连接。
可选地,还包括:设置在硅基衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括驱动晶体管,所述驱动电路层上设置有暴露出所述驱动晶体管的漏电极的第一过孔。
可选地,所述微腔结构层包括:
设置在所述驱动电路层上的连接电极,所述连接电极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏电极连接;
覆盖所述连接电极的第一绝缘层,所述第一绝缘层上设置有暴露出所述连接电极的第二过孔;
设置在所述第一绝缘层上的反射电极,所述反射电极通过所述第二过孔与连接电极连接;
覆盖所述反射电极的第二绝缘层,所述第二绝缘层远离硅基衬底的表面上设置有凹槽,所述凹槽内设置有暴露出所述反射电极的第三过孔。
可选地,所述第一电极设置在所述第二绝缘层的凹槽内,通过所述第三过孔与反射电极连接;所述发光结构层还包括:设置在所述第一电极上出射白光的发光层,以及设置在所述发光层上的第二电极。
可选地,所述凹槽的深度为200埃~600埃。
可选地,所述凹槽在硅基衬底上的正投影包含所述第一电极在硅基衬底上的正投影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的