[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910901604.6 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110610975B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨盛际;陈小川;王辉;黄冠达;卢鹏程;赵云翠;谢东妹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括叠设的微腔结构层和发光结构层,所述微腔结构层中设置有反射电极,所述微腔结构层中覆盖所述反射电极的第二绝缘层的表面上设置有凹槽和过孔,所述过孔设置在所述凹槽内,所述发光结构层包括第一电极,所述第一电极设置在所述第二绝缘层的凹槽内,以控制所述第一电极与第二绝缘层之间的断差,所述第一电极通过所述过孔与所述反射电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:设置在硅基衬底上的驱动电路层,所述驱动电路层包括驱动晶体管,所述驱动电路层上设置有暴露出所述驱动晶体管的漏电极的第一过孔。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述微腔结构层包括:
设置在所述驱动电路层上的连接电极,所述连接电极通过所述第一过孔与所述驱动晶体管的漏电极连接;
覆盖所述连接电极的第一绝缘层,所述第一绝缘层上设置有暴露出所述连接电极的第二过孔;
设置在所述第一绝缘层上的反射电极,所述反射电极通过所述第二过孔与连接电极连接;
覆盖所述反射电极的第二绝缘层,所述第二绝缘层远离硅基衬底的表面上设置有凹槽,所述凹槽内设置有暴露出所述反射电极的第三过孔。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极设置在所述第二绝缘层的凹槽内,通过所述第三过孔与反射电极连接;所述发光结构层还包括:设置在所述第一电极上出射白光的发光层,以及设置在所述发光层上的第二电极。
5.根据权利要求1~4任一所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽的深度为200埃~600埃。
6.根据权利要求1~4任一所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽在硅基衬底上的正投影包含所述第一电极在硅基衬底上的正投影。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6任一所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
形成微腔结构层,所述微腔结构层中形成有反射电极,所述微腔结构层中覆盖所述反射电极的第二绝缘层的表面上形成有凹槽和过孔,所述过孔设置在所述凹槽内;
在所述微腔结构层上形成发光结构层,所述发光结构层包括第一电极,所述第一电极形成在所述第二绝缘层的凹槽内,以控制所述第一电极与第二绝缘层之间的断差,且通过所述过孔与所述反射电极连接。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,形成微腔结构层之前,还包括:
在硅基衬底上形成驱动电路层,所述驱动电路层包括驱动晶体管,所述驱动电路层上形成有暴露出驱动晶体管的漏电极的第一过孔。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,形成微腔结构层包括:
在所述驱动电路层上形成连接电极,所述连接电极通过所述第一过孔与驱动晶体管的漏电极连接;
形成覆盖所述连接电极的第一绝缘层,所述第一绝缘层上形成有暴露出所述连接电极的第二过孔;
在所述第一绝缘层上形成反射电极,所述反射电极通过所述第二过孔与连接电极连接;
形成覆盖所述反射电极的第二绝缘层,所述第二绝缘层远离硅基衬底的表面上形成有凹槽,所述凹槽内形成有暴露出所述反射电极的第三过孔。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在所述微腔结构层上形成发光结构层,包括:
在所述第二绝缘层的凹槽内形成第一电极,所述第一电极通过所述第三过孔与反射电极连接;
在所述第一电极上形成出射白光的发光层;
在所述发光层形成第二电极。
12.根据权利要求8~11任一所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的深度为200埃~600埃。
13.根据权利要求8~11任一所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽在硅基衬底上的正投影包含所述第一电极在硅基衬底上的正投影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的