[发明专利]一种射频前端架构

说明书

本申请公开了一种射频前端架构，所述射频前端架构包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。本申请通过调节可调谐匹配网络对射频前端架构进行阻抗匹配，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持较佳的工作性能。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种射频前端架构。

背景技术

射频前端架构包含功率放大器(PA，Power Amplifier)、低噪声放大器(LNA，LowNoise Amplifier)、滤波器、双工器、开关、天线等器件。随着新增频段的增加，载波聚合、多输入多输出(MIMO，Multiple Input Multiple Output)等技术的广泛应用，各类射频器件越来越多，射频前端架构也越来越复杂化，各类射频器件在射频系统中占用很大面积。目前一种广泛应用的技术方案是将PA、LNA、滤波器、双工器和开关集成在一颗芯片中，构成集成滤波器/双工器的功率放大器模组(PAMiD，Power Amplifier Module integratedDuplexer)，再加上天线一起组成一个完整的射频前端架构。采用这种技术方案能够减小各射频器件的占用面积，但是这种集成方式减小了各器件的调试自由度，在实际应用中给射频工程师的调试带来了极大的不便，导致各射频器件及模块无法达到自身最优性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种射频前端架构。

本申请实施例提供的射频前端架构，包括：集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，

所述PAMiD包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。

在本申请一可选实施方式中，所述PAMiD还包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和第二开关之间的多个支路；其中，

所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。

在本申请一可选实施方式中，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。

在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。

在本申请一可选实施方式中，所述功率放大器和所述第一开关之间还设置有功率放大器匹配网络，所述功率放大器匹配网络集成于所述PAMiD中；

其中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器匹配网络和所述第一开关之间。

在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，

所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD外部。

在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。

在本申请一可选实施方式中，所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络；其中，

所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间；或者，

所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。

在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下，

所述第二可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中；或者，