[发明专利]一种射频前端架构在审
申请号: | 201910899230.9 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110768634A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 彭洋洋;陈泽岩 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/195 | 分类号: | H03F3/195;H03F3/213;H03F1/56;H03H9/46 |
代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李强;张颖玲 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 射频前端 匹配网络 可调谐 架构 天线 阻抗 集成双工器 工作性能 阻抗匹配 模组 射频 申请 输出 | ||
1.一种射频前端架构,其特征在于,所述射频前端架构包括:集成双工器的功率放大器模组PAMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络;其中,
所述PAMiD包括功率放大器,所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间,用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。
2.根据权利要求1所述的射频前端架构,其特征在于,所述PAMiD还包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和第二开关之间的多个支路;其中,
所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器,所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。
3.根据权利要求2所述的射频前端架构,其特征在于,所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一:至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。
4.根据权利要求3所述的射频前端架构,其特征在于,所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。
5.根据权利要求4所述的射频前端架构,其特征在于,所述功率放大器和所述第一开关之间还设置有功率放大器匹配网络,所述功率放大器匹配网络集成于所述PAMiD中;
其中,所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器匹配网络和所述第一开关之间。
6.根据权利要求4或5所述的射频前端架构,其特征在于,
所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中;或者,
所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD外部。
7.根据权利要求3所述的射频前端架构,其特征在于,所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。
8.根据权利要求7所述的射频前端架构,其特征在于,所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络;其中,
所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间;或者,
所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。
9.根据权利要求8所述的射频前端架构,其特征在于,所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下,
所述第二可调谐匹配网络集成于所述PAMiD中;或者,
所述第二可调谐匹配网络独立设置在所述PAMiD和所述天线匹配网络之间。
10.根据权利要求3所述的射频前端架构,其特征在于,所述第三可调谐匹配网络位于所述PAMiD中的支路中。
11.根据权利要求10所述的射频前端架构,其特征在于,
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输入匹配网络;或者,
所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输出匹配网络。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的射频前端架构,其特征在于,所述可调谐匹配网络包括以下至少一种类型的元件:电感、电容、电阻、传输线、开关;其中,所述可调谐匹配网络中的阻抗值可调。
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