[发明专利]一种掩膜板张网控制方法及装置、张网系统有效

专利信息
申请号: 201910895062.6 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN110484863B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 杜森;吴建鹏;张元其;嵇凤丽;徐倩 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/54
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 周娟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板张网 控制 方法 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种掩膜板张网控制方法,其特征在于,包括:

获取掩膜板所具有的像素开口区的实测位置信息;

根据所述像素开口区的实测位置信息和像素区预设位置信息,获得像素开口区实测偏移量R;

在所述像素开口区实测偏移量R大于不混色像素对应的像素开口区理论偏移量R0时,判断像素开口区实测几何中心是否位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域;

如果是,生成结束掩膜板张网控制过程的结束指令;否则,生成用于启动张网参数调节过程的调节指令;

所述判断像素开口区实测几何中心是否位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域包括:

判断像素开口区实测几何中心偏移函数F(X1)和不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合函数G(X2)是否具有公共解(X,Y);

如果有,确认像素开口区实测几何中心位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域外;否则,确认像素开口区实测几何中心位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域。

2.根据权利要求1所述的掩膜板张网控制方法,其特征在于,

所述像素开口区实测几何中心偏移函数F(X1)的表达式为:

X1为像素开口区实测几何中心偏移函数的横坐标自变量,X0为像素区预设几何中心的横坐标;Y0为像素区预设几何中心的纵坐标,X1为像素开口区实测几何中心的横坐标;Y1为像素开口区实测几何中心的纵坐标;

所述不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合函数G(X2)的表达式为:

a为第一常数,b为第二常数,c为第三常数,X2为不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合函数的横坐标自变量。

3.根据权利要求1所述的掩膜板张网控制方法,其特征在于,所述获取掩膜板所具有的像素开口区的实测位置信息后,所述判断像素开口区实测几何中心是否位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域前,所述掩膜板张网控制方法还包括:

根据像素开口区的实测位置信息,获得像素开口区实测几何中心坐标(X1,Y1);

根据像素区预设位置信息,获得像素区预设几何中心坐标(X0,Y0);

根据像素开口区实测几何中心坐标(X1,Y1)和像素区预设几何中心坐标(X0,Y0),获得像素开口区实测几何中心偏移函数F(X1)。

4.根据权利要求1~3任一项所述的掩膜板张网控制方法,其特征在于,所述判断像素开口区实测几何中心是否位于不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案所围成的区域前,所述掩膜板张网控制方法还包括:

获取多种几何特征边缘对应的历史像素预设区边缘与历史像素实测开口区边缘的距离信息,以及历史像素预设区对应多种几何特征边缘的阴影效应宽度信息;

根据多种几何特征边缘对应的历史像素预设区边缘与历史像素实测开口区边缘的距离信息以及历史像素预设区对应多种几何特征边缘的阴影效应宽度信息,获得不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合函数G(X2),所述不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合函数G(X2)用于表征不混色像素对应的像素开口区几何中心拟合图案。

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