[发明专利]显示装置的制作方法及显示装置有效
| 申请号: | 201910894456.X | 申请日: | 2019-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN110690241B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
| 发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供背板(10),所述背板(10)包括衬底基板(1)及设于所述衬底基板(1)上的驱动电路(2);
步骤S2、形成多个LED芯片(3),每一个LED芯片(3)分别包括一底电极(31)及一顶电极(32);
步骤S3、将所述多个LED芯片(3)竖直转移到所述背板(10)上,并使得所述多个LED芯片(3)的底电极与驱动电路(2)电性连接;
步骤S4、提供盖板(20),所述盖板(20)包括本体(4)及设于所述本体(4)上的接地电路(5);
步骤S5、将所述盖板(20)盖合至所述背板(10)上,并使得所述接地电路(5)至少正对所述驱动电路(2)的一部分,且各个LED芯片(3)的顶电极与所述接地电路(5)电性连接;
步骤S6、按压所述盖板(20),使得竖直状态的LED芯片(3)变为倾斜状态。
2.如权利要求1所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述LED芯片(3)为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
3.如权利要求1所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述驱动电路(2)包括多个薄膜晶体管(21)、多条扫描线(22)及多条数据线(23),所述多个薄膜晶体管(21)阵列排布,每一条扫描线(22)电性连接一行薄膜薄膜晶体管(21)的栅极,每一条数据线(23)电性连接一列薄膜晶体管的源极,每一个LED芯片(3)的底电极电性连接一个薄膜晶体管(21)的漏极。
4.如权利要求3所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述接地电路(5)包括多条接地线(51),盖合后每一条接地线(51)正对一条扫描线(22)或一条数据线(23)。
5.如权利要求1所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述LED芯片(3)的底电极和顶电极通过锡膏(6)分别与所述驱动电路(2)及接地电路(5)电性连接。
6.一种显示装置,其特征在于,采用如权利要求1所述的显示装置的制作方法制得;
所述显示装置包括相对设置的背板(10)与盖板(20)以及设于所述背板(10)与盖板(20)之间的多个LED芯片(3);
所述背板(10)包括衬底基板(1)及设于所述衬底基板(1)上的驱动电路(2);
所述盖板(20)包括本体(4)及设于所述本体(4)上的接地电路(5),且所述接地电路(5)至少正对所述驱动电路(2)的一部分;
每一个LED芯片(3)分别包括一底电极(31)及一顶电极(32),所述底电极电性连接所述驱动电路(2),所述顶电极电性连接接地电路(5),所述LED芯片(3)相对于竖直方向倾斜设置。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述LED芯片(3)为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
8.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述驱动电路(2)包括多个薄膜晶体管(21)、多条扫描线(22)及多条数据线(23),所述多个薄膜晶体管(21)阵列排布,每一条扫描线(22)电性连接一行薄膜薄膜晶体管(21)的栅极,每一条数据线(23)电性连接一列薄膜晶体管的源极,每一个LED芯片(3)的底电极电性连接一个薄膜晶体管(21)的漏极。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述接地电路(5)包括多条接地线(51),每一条接地线(51)正对一条扫描线(22)或一条数据线(23)。
10.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述LED芯片(3)的底电极和顶电极通过锡膏(6)分别与所述驱动电路(2)及接地电路(5)电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





