[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体芯片，具有连接垫；

包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及

互连结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上，

其中，所述互连结构包括第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一重新分布层以及设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层的第二绝缘层，

其中，所述第一重新分布层电连接到所述连接垫，并且

其中，b/a为4或更小，其中，a为所述第一重新分布层的厚度，b为所述第一重新分布层的图案之间的间隙。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，b/a为0.1或更大。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，a为10μm或更小。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其中，a为0.5μm或更大。

5.如权利要求4所述的半导体封装件，其中，b为0.1μm至40μm。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，(c-a)/a为0.5或更大，其中，c为所述第二绝缘层的位于覆盖所述第一重新分布层的区域中的厚度与所述第一重新分布层的被所述第二绝缘层的所述区域覆盖的厚度的总和。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，(c-a)/a为1.5或更小。

8.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，c为1μm至20μm。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布层包括铜。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二绝缘层包括感光绝缘材料。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二绝缘层的位于覆盖所述第一重新分布层的区域中的厚度与所述第一重新分布层的被所述第二绝缘层的所述区域覆盖的厚度的总和大于所述第二绝缘层的位于所述第一重新分布层的图案之间的区域中的厚度。

12.如权利要求11所述的半导体封装件，其中，(c-d)/c为0.5或更小，其中，c为所述第二绝缘层的位于覆盖所述第一重新分布层的区域中的厚度与所述第一重新分布层的被所述第二绝缘层的所述区域覆盖的厚度的总和，并且d为所述第二绝缘层的位于所述第一重新分布层的图案之间的区域中的厚度。

13.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构还包括设置在所述第二绝缘层上的第二重新分布层。

14.如权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

框架，具有通孔，

其中，所述半导体芯片设置在所述通孔中，并且

其中，所述包封剂填充所述通孔的至少一部分。

15.如权利要求14所述的半导体封装件，其中，

所述框架包括：第一积聚层，与所述第一绝缘层接触；第一布线层，与所述第一绝缘层接触并且埋设在所述第一积聚层中；第二布线层，设置在所述第一积聚层的与埋设有所述第一布线层的部分相对的部分上；第二积聚层，设置在所述第一积聚层上并且覆盖所述第二布线层；以及第三布线层，设置在所述第二积聚层的与埋设有所述第二布线层的部分相对的部分上，并且

其中，所述第一布线层至所述第三布线层电连接到所述连接垫。

16.如权利要求14所述的半导体封装件，其中，

所述框架还包括：芯层；第一布线层和第二布线层，分别设置在所述芯层的两个表面上；第一积聚层和第二积聚层，分别设置在所述芯层的两个表面上并且分别覆盖所述第一布线层和所述第二布线层；第三布线层，设置在所述第一积聚层的与埋设有所述第一布线层的部分相对的部分上；以及第四布线层，设置在所述第二积聚层的与埋设有所述第二布线层的部分相对的部分上，并且

其中，所述第一布线层至所述第四布线层电连接到所述连接垫。