[发明专利]基板容纳装置及其制造方法在审
申请号: | 201910885011.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN112309926A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 庄家和;薛新民;邱铭乾 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙乳笋;周永君 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容纳 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种基板容纳装置及其制造方法,该装置用以容纳一基板,包含:一基座,具有一周缘与一设置有多个接触元件的朝上顶部水平面,该些接触元件用以啮合该基板,以保持该基板位于该朝上顶部水平面的上方,该朝上顶部水平面延伸出一环形朝上支撑面,且该环形朝上支撑面围绕该些接触元件且紧邻该基座的该周缘;以及一上盖,具有一环形朝下支撑面,且该环形朝下支撑面与该环形朝上支撑面以宽面接触方式相配合,以在该基座与该上盖之间界定一用于容纳该基板的内腔,其中该环形朝下支撑面与该环形朝上支撑面相接触时,该环形朝下、环形朝上支撑面与该基座的该朝上顶部水平面不在同一水平面上,防微粒及污染且易于制造。
技术领域
本发明关于一种用于储存、运输及处理如掩膜及晶片等基板的标准化机械接口(Standardized Mechanical Interface,SMIF)容器,特别是,本发明是一种具有微粒控制并保持洁净的基板容纳装置及其制造方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,光刻技术(Lithography)是重要的制造工艺处理之一,而于光刻制造工艺中用于如图形化的掩膜基板须保持洁净,任何在制造工艺中附着于掩膜基板表面上的微粒,可能会损坏掩膜的基板表面导致曝光的影像品质劣化,而影响最终产品的良莠,故掩膜基板无论是在制造、加工、装运、运输、储存的过程中,皆需要避免受到污染,以及避免因碰撞或摩擦等产生微粒影响掩膜基板的洁净度。
考量到微粒对半导体制作的严重影响,掩膜基板须存放于高度洁净的掩膜盒中进行运输与储存,但于光刻制造工艺中,掩膜盒会因为环境、受冲击与震动等因素,导致微粒会经由掩膜盒的缝隙进入掩膜盒中,尤其是掩膜盒的盖体与基座间的接触面。考量到制造工艺中掩膜盒的操作,当掩膜盒传输至机台,进行提取掩膜而打开掩膜盒之前,为了使工作环境达到无尘状态,会有进气与排气等操作过程,此时微粒会因为掩膜盒内外的压力变化,而经由盖体与基座的接触面进入掩膜盒中。
因此,制造已知掩膜盒时,制造工艺会切削加工盖体与基座接触的表面,使其表面粗糙度达到平整,但一般加工技术的瓶颈,加工表面粗糙度无法完全密封,使少数的微粒还是会藉由空气的流动从缝隙移动至掩膜盒内部,而为了增加盖体与基座间的接触面的密封程度,在加工制造工艺须要进一步以抛光作业来提高表面平整度,而造成加工成本的增加。
请参考图1,显示已知掩膜盒的分解立体图。已知掩膜盒包含一上盖10与一基座30,当上盖10与基座30盖合时,上盖10与基座30之间形成一内腔,该内腔用以容纳一掩膜20。该掩膜20具有一顶面21、一底面22,其中该底面22为一经图案化表面。该掩膜20收纳于掩膜盒时,该底面22向下朝向该基座30。该基座30具有一朝上顶部水平面31,在该朝上顶部水平面31上分布设置有多个接触元件321、322,其中该接触元件322呈柱状,该些接触元件322用以界定一掩膜放置区域,该接触元件321呈圆形顶面且位于该掩膜放置区域内,该些接触元件321用以支撑于该掩膜20的底面22。该朝上顶部水平面31往四周边缘水平延伸一具有一宽度的朝上支撑面33,该朝上支撑面33呈环形且围绕于该些接触元件321、322的外围,用于支撑该上盖10的盖合。
请同时参考图2与图3,图2显示图1所示已知掩膜盒的剖面视图,其中掩膜以收纳于盖合的掩膜盒内,图3显示图2所示剖面视图的右侧局部放大图。该上盖10具有一顶面11与一底面12,其中该底面12的四周边缘对应该基座30的环形朝上支撑面33,往下延伸一凸缘13以围绕该底面12,该凸缘具有一朝下支撑面132,且该朝下支撑面132与该环形朝上支撑面33在该朝上顶部水平面31的同一水平面上彼此接触。朝上支撑面33与该朝上顶部水平面31在加工的研磨或抛光作业下有一致的表面粗糙度,而为增加该朝下支撑面132与该环形朝上支撑面33间接触面的密封程度,支撑面132、33也一致的表面粗糙度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造