[发明专利]离子植入系统及其衬套有效

申请号：	201910881866.0	申请日：	2019-09-18
公开（公告）号：	CN110957202B	公开（公告）日：	2022-08-05
发明（设计）人：	蒙英傑;彭垂亚;郑迺汉	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01J37/02	分类号：	H01J37/02;H01J37/317
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	离子植入系统及其衬套
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【说明书】：

本揭示案的实施例描述一种离子植入系统及其衬套。离子植入系统包括设计成减少IMP副产物累积在衬套内表面上的衬套。离子植入系统可包括腔室、配置成生成离子束的离子源、及耦接离子源与腔室的衬套。衬套可包括(i)具有内表面、第一端及第二端的管状体，及(ii)设置在管状体的内表面内的多个倾斜沟槽，其中多个倾斜沟槽的每一者朝向管状体的第二端延伸。

技术领域

本揭示涉及一种离子植入系统及一种衬套。

背景技术

离子植入系统需要高电压以生成离子束以照射晶圆。源衬套为绝缘元件，其当在高电压下操作离子植入系统时防止离子植入系统内的电弧。源衬套的老化及退化可以造成离子植入系统的损坏及显著维护成本。

发明内容

本揭示的一些实施例提供一种离子植入系统，包括腔室、离子源与衬套。离子源，经配置以生成离子束。衬套耦接离子源与腔室，其中衬套包括管状体与多个倾斜沟槽。管状体包括内表面、第一端，及第二端。倾斜沟槽设置在管状体的内表面内，其中倾斜沟槽的每一者朝向管状体的第二端延伸。

本揭示的一些实施例提供一种衬套包括管状体与多个倾斜沟槽。管状体包括外表面、内表面、第一端，及第二端。倾斜沟槽设置在管状体的内表面内，其中倾斜沟槽的每一者朝向管状体的第二端延伸，且管状体的第二端与倾斜沟槽的每一者的顶部的中点之间的分隔距离大于管状体的第二端与倾斜沟槽的每一者的底部之间的分隔距离。

本揭示的一些实施例提供一种离子植入系统，包括源头部装置及影像感测器。源头部装置经配置以提取离子束，包括第一导体元件、第二导体元件与衬套。衬套耦接第一导体元件与第二导体元件，包括管状体、一或多个沟槽及腔体。管状体包括内表面及外表面。沟槽设置在管状体的内表面内。腔体设置在管状体的外表面与沟槽的一者之间，其中腔体的第一端朝向沟槽的一者打开，及腔体的第二端朝向管状体的外表面的一部分打开。影像感测器经配置以记录管状体的内表面的可视特性。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业常规实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1A为根据一些实施例的离子植入系统的等角视图；

图1B为根据一些实施例的衬套的等角视图；

图2为根据一些实施例的源头部装置的剖视图；

图3为根据一些实施例的源头部装置的剖视图；

图4为根据一些实施例的示例性计算机系统的概括性方块图；

图5为根据一些实施例的操作离子植入系统的方法的流程图。

【符号说明】

100 IMP

101 源区

102 离子源