[发明专利]离子植入系统及其衬套有效

专利信息
申请号: 201910881866.0 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN110957202B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 蒙英傑;彭垂亚;郑迺汉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01J37/02 分类号: H01J37/02;H01J37/317
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 离子 植入 系统 及其 衬套
【权利要求书】:

1.一种离子植入系统,其特征在于,包括:

一腔室;

一离子源,经配置以生成一离子束;以及

一衬套,耦接该离子源与该腔室,其中该衬套包括:

一管状体,包括一外表面、一内表面、一第一端,及一第二端;

多个倾斜沟槽,设置在该管状体的该内表面内,其中该多个倾斜沟槽的每一者朝向该管状体的该第二端延伸;以及

设置在该管状体的该外表面与该多个倾斜沟槽的一者之间的一腔体,其中该腔体的一第一端朝向该多个倾斜沟槽的该一者打开及该腔体的一第二端朝向该管状体的该外表面的一部分打开。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,一纵轴穿过与该第一端及该第二端关联的中点,且其中该纵轴与另一轴之间的一锐角,由该多个倾斜沟槽的每一者的一开口的一第一中点至该相应倾斜沟槽的一最内表面的一第二中点定义,该锐角等于或小于75度。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,该管状体的该第二端与该多个倾斜沟槽的每一者的一开口的一第一中点之间的一分隔距离大于该管状体的该第二端与该相应倾斜沟槽的一最内表面的一第二中点之间的一分隔距离。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,该衬套进一步包括设置在该管状体的该内表面内的其他多个沟槽,其中该其他多个沟槽的每一者与该多个倾斜沟槽的一或多者相邻或交错。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,该多个倾斜沟槽的每一者的深度大于25mm。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,该多个倾斜沟槽的每一者的宽度大于25mm。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统,其特征在于,进一步包括配置成记录该管状体的该内表面的影像的一影像感测器。

8.一种衬套,其特征在于,包括:

一管状体,包括一外表面、一内表面、一第一端,及一第二端;

多个倾斜沟槽,设置在该管状体的该内表面内,其中:

该多个倾斜沟槽的每一者朝向该管状体的该第二端延伸;以及

该管状体的该第二端与该多个倾斜沟槽的每一者的一顶部的一中点之间的一分隔距离大于该管状体的该第二端与该多个倾斜沟槽的每一者的一底部之间的一分隔距离;以及

设置在该管状体的该外表面与该多个倾斜沟槽的一者之间的一腔体,其中该腔体的一第一端朝向该多个倾斜沟槽的该一者打开及该腔体的一第二端朝向该管状体的该外表面的一部分打开。

9.根据权利要求8所述的衬套,其特征在于,该衬套包括耐纶、橡胶、塑胶、合成物、环氧树脂、聚合物、聚四氟乙烯、或其组合。

10.根据权利要求8所述的衬套,其特征在于,该多个倾斜沟槽的每一者的宽度等于或大于25mm。

11.根据权利要求8所述的衬套,其特征在于,该多个倾斜沟槽的每一者的深度等于或大于25mm。

12.根据权利要求8所述的衬套,其特征在于,与该多个倾斜沟槽的一者的沟槽底部相邻的侧壁及该管状体的纵轴之间的一锐角,由该第一端的中点至该管状体的该第二端的另一中点定义,该锐角等于或小于75度。

13.根据权利要求8所述的衬套,其特征在于,该衬套进一步包括设置在该管状体的该内表面内的其他多个沟槽,其中该其他多个沟槽的每一者与该多个倾斜沟槽的一或多者相邻或交错。

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