[发明专利]一种等离子体处理装置

说明书

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔，反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；位于反应腔内、且设置于顶壁处的上电极；位于反应腔内、且与上电极相对设置的下电极；位于反应腔内、且环绕下电极设置的接地环；环绕下电极设置、且连接于接地环与侧壁之间的导电支架，导电支架包括接触接地环的内接环、接触侧壁的外接环及连接于外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。在接地环和侧壁之间连接有包括有多个阻抗可调器件的导电支架，不同阻抗可调器件能够调节接地环不同区域的阻抗，达到调节射频回路的阻抗的目的；通过对不同阻抗可调器件的阻抗优化调节，实现射频分布对称性的调节，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

技术领域

本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，更为具体地说，涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶片的结构层上形成预先设定的图案，大多采用等离子体处理装置来进行制作；具体的，以抗蚀剂作为掩模设置于结构层上，而后将其放入等离子体处理装置中，利用等离子体处理装置产生的等离子体对未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀，最终制作完成具有预设图案的结构层。现有的等离子体处理装置，由于存在有元件结构(如基片传输通道)不对称等因素，进而能够导致刻蚀不均匀的情况出现，最终对产品性能和良率产生很大影响。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的问题，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种等离子体处理装置，包括：

反应腔，所述反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；

位于所述反应腔内、且设置于所述顶壁处的上电极；

位于所述反应腔内、且与所述上电极相对设置的下电极；

位于所述反应腔内、且环绕所述下电极设置的接地环；

以及，环绕所述下电极设置、且连接于所述接地环与所述侧壁之间的导电支架，其中，所述导电支架包括接触所述接地环的内接环、接触所述侧壁的外接环及连接于所述外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。

可选的，所述阻抗可调器件为非电控制的阻抗可调器件。

可选的，所述阻抗可调器件为可变电容器件、可变电阻器件或可变电感器件。

可选的，所述阻抗可调器件为气动可变电容器件。

可选的，所述气动可变电容器件包括：

连接所述内接环的第一极板和连接所述外接环的第二极板；

以及，与所述第一极板或第二极板连接的空气压缩管路，所述空气压缩管路通过空气压力控制连接的极板运动，而改变所述第一极板和所述第二极板之间间距。

可选的，所述多个阻抗可调器件之间等间距环绕所述下电极设置。

可选的，任意相邻两个所述阻抗可调器件之间间距不同。

可选的，在所述多个阻抗可调器件中：

部分所述阻抗可调器件中相邻两个所述阻抗可调器件之间间距相同，及另外部分所述阻抗可调器件中相邻两个所述阻抗可调器件之间间距不同。

可选的，位于所述下电极与所述接地环之间还设置有边缘绝缘环。

可选的，所述等离子体处理装置还包括设置于所述接地环与所述侧壁之间的约束环，且所述导电支架位于所述约束环朝向所述底壁一侧；其中，所述约束环用于将其区域处的等离子中带电离子电中和。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：